次世代半導体の国産化を目指し、北海道千歳市に工場を建設中のラピダス（東京）は１８日、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を初めて搬入し、設置作業を開始したと発表した。同装置は半導体回路の微細化に不可欠で、来年４月の試作ライン稼働に向けた準備は最終段階に入った。
装置は長さ１０．３メートル、幅３．２メートル、高さ３．４メートルで、重さは７１トン。搬入する個数は非公表とした。年内に搬入作業を終える予定。
記念式典でラピダスの小池淳義社長は、搬入により「試作ラインもスタートでき、大きな第一歩」と話した。また、建屋も約８８％完成しており、進捗（しんちょく）状況は順調だと強調した。
［時事通信社］