スボルタ社、ARMプロセッサで実証したトランジスタ技術の速度・消費電力のメリットを発表

JCN Newswire / 2013年7月23日 18時8分

革新的な超低消費電力技術によって、ARMはIoTの最前線でも生き残ることを確信

LOS GATOS, CA, July 23, 2013 - (JCN Newswire) - 低消費電力・高性能LSIチップ向け微細半導体技術開発企業のスボルタ社は、同社のトランジスタ技術を使って作られたARM Cortex-M0プロセッサが優れた速度向上と消費電力の削減を実現したと発表しました。ARM Cortex-Mシリーズのプロセッサは、65nmプレーナ型のバルクCMOSプロセスにスボルタのDDC(Deeply Depleted Channel:深い空乏層のチャンネルを利用)トランジスタ技術を使って製造したものです。スボルタのトランジスタ技術を使えば設計要求次第では、設計者は消費電力を大きく減らすことができたり、あるいは性能をドラマチックに改善できたりします。

「ARMの得意技術は低消費電力です。だからこそ、スボルタのDDC技術のように、消費電力をさらに下げられる技術は、いつでもARMおよびそのパートナーから歓迎されます」と、ARM社プロセッサ部門戦略/マーケティング担当バイスプレジデントのノエル・ハーレイ氏は語ります。さらに、「ARMプロセッサにスボルタのDDC技術を導入すると、さらに消費電力を下げられる、あるいは消費電力を維持したまま性能を大きく上げられることをスボルタは証明しました。IoT(Internet of Things)が広がり続けるにつれ、センサなどのデバイス用に革新的な低消費電力技術は、このビジネスチャンスの最前線にARMが生き残ることを確信せざるをえません」と加えました。

同じARM Cortex-M0プロセッサを従来の65nmプロセスで作り、1.2Vで動作させる場合と比べると、DDC技術に基づくARMプロセッサは0.9Vで動作しました。このことから次のようなメリットが明らかになりました;

-- どちらも350MHzで動作させると、全消費電力は50%下がりました
-- 消費電力を同じになるように揃えると、動作速度(性能)は35%上がりました
-- 電源電圧を同じに揃えて動作させると速度は55%も向上しました

「ARM Cortex-M0 CPUコアにSRAMやいろいろなアナログ回路などを高集積したSoCにDDC技術を使うメリットが大きいと自信を持って確信しました。結果は見ての通りです。電力と性能を最適化したCPUコアは、プロセスコーナーと温度全般に渡り結果は維持され、SRAMは150mVという低い電圧で動作し、同じSRAMの読み出し電流の場合リーク電流による電力は50%も低く、リテンションモードでのリーク電力は1/5以下になりました」と、スボルタ社デジタル設計のシニアディレクタのデビッド・キッド氏は語ります。

「消費電力を下げ、性能を上げることがさまざまな先端デジタルIC製品に向けて次世代能力を提供するためのカギとなります」。こう述べるのは、スボルタ社の社長兼CEO(最高経営責任者)のブルース・マックウィリアムズ氏です。続けて「ARMプロセッサを含むSoCに適用したDDC技術の速度-電力のメリットを確信することによって、一つのシステムにおける当社の技術の価値を示す一里塚に到達しました」と述べます。

「当社は、大手のファブレス企業やファウンドリとコラボレーションすることによって、先端のプロセスノードにある当社の技術を着実に進展させ続けていきます」とマックウィリアムズ社長は述べます。

スボルタ(SuVolta)社について

スボルタ社は、低消費電力で高性能なICチップに必要な微細化可能な半導体技術を開発、ライセンスを供与しています。シリコンバレーを本拠として、同社は、長い間の技術開発や技術革新を保持する世界クラスの技術者や科学者を抱え、半導体産業の発展に尽くしています。同社の出資者には、大手ベンチャーキャピタルのクライナーパーキンス・コーフィールド&バイヤーズ(KPCB)、オーガストキャピタル、NEA、ブライトキャピタル、ノースゲートキャピタル、DAGベンチャーズがいます。詳細は以下のURLをご参照ください。 www.suvolta.com

スボルタの技術についてさらに詳細を知りたい方は以下のURLを参照してください。
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スボルタの技術ライセンスに興味のある方は、以下のURLを参照してください。
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Source: SuVolta, Inc.

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