ジュソンエンジニアリング、露CNEに次世代半導体MRAMエッチング装置供給

JCN Newswire / 2013年9月16日 12時16分

GWANG JU-SI GEYONGGI-DO, SOUTH KOREA, and MOSCOW, RUSSIA, Sept 16, 2013 - (JCN Newswire) - 半導体・ディスプレイ・太陽電池製造装置専門のジュソン・エンジニアリング(代表取締役:ファン・チョルジュ; KOSDAQ 036930)は、半導体メーカーであるクロッカス・ナノ・エレクトロニクス(Crocus Nano Electronics、CNE)に、次世代メモリの主力製品である磁気抵抗メモリ(Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM)のエッチング装置の供給する契約を締結したと16日、明らかにした。

CNEは世界屈指のMRAM半導体開発企業であるクロッカス・テクノロジー(Crocus Technology)とロシアの国営海外投資企業であるロスナノ(RUSNANO)が設立した合弁会社。今回の供給に至るまでの全ての技術検証は米国クロッカス・テクノロジーにて行われただけに、ジュソン・エンジニアリングの新製品が世界市場進出のための戦略的橋頭堡を確保したという点では示唆するところが大きい。

今回ジュソン・エンジニアリングが供給するMRAMエッチング装置(製品名:Genaon Plus)は、従来の半導体とは違い、様々な化合物新素材が使われる次世代半導体の性質上、従来の装置では加工が難しかったプラチナ、マンガン、コバルトなどの磁気金属層を除去できる核心的工程装置。

特に、ジュソン・エンジニアリングの装置はMRAM工程でも最も重要な磁気金属層のパターニングに特化したプラズマエッチング装置であり、エッチング工程中に残存する側面のポリマー(Polymer)をすべて取り除き、半導体チップの効率を格段に上げられると会社側は説明する。

MRAMはフラッシュメモリの保存能力とDRAMの高速性を組み合わせた低電力・高集積メモリで、PRAM(Phase-change RAM)やRRAM(Resistance RAM)と共に次世代メモリとして注目され、商用化に向けての基盤技術確保に関心が集まっている。現在急成長中であるMRAM市場は、2018年には全世界に約9,250億ウォン規模に成長すると予想されている。ジュソン・エンジニアリングは今回の装置供給により、急成長を遂げている次世代半導体のエッチング装置市場への初期参入成功により、今後は関連市場の拡大に積極的に進出する予定。

ジュソン・エンジニアリングのファン・チョルジュ代表取締役は「今回の装置供給は、両社が世界初としてMRAM量産技術を確保した価値のあることであり、今後も顧客との長期的な友好関係を形成し、次世代半導体市場の開拓にも協力していく」とした。

クロッカス・ナノ・エレクトロニクスの代表ボリス・オマロフ氏は「同社は、次世代半導体である磁気抵抗メモリのエッチング技術界をリードするジュソン・エンジニアリングとパートナーシップを結ぶ重要な決断をした。ジュソン・エンジニアリングの優秀な技術と完璧を追求する当社は、ロシアの企業精神にもぴったり合う完璧なパートナーになれると思う」と述べた。

ジュソン・エンジニアリング株式会社

ジュソンエンジニアリングは、FPD、太陽光発電、有機EL、LED照明分野での韓国内最大規模の半導体プロセス技術を提供する会社である。1995年設立後、韓国初として半導体設備を導入し、世界標準となる最先端の技術とグローバルサプライヤーとして頑張ってきた。独自の技術により、2002年には大型ディスプレイー装置を、2006年にはソラーセル装置をリリースし、2010年度には事業分野の成功的なを多様化ができた。LED及びOLED装置分野で立証された発展した技術力により、グロバルーダーになると予想する。詳細は、 http://www.jusung.com をご覧ください。

クロカス・ナノ・エレクトロニックス

クロカス・ナノ・エレクトロニックスは、世界初のMRAM MLUベース装置の量産会社であり、2013年度は300mmウエハーの生産稼動を予定している。90ナノと65ナノのMRAM 装置による量産工場としては世界初となる。

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