ラムリサーチの新型エッチングおよび蒸着製品により、プロセス変動を制御して先進的な複数パターニングを実現

JCN Newswire / 2014年7月9日 12時23分

San Francisco, July 9, 2014 - (JCN Newswire) - グローバル半導体業界向けの革新的なウエハー製造設備およびサービスの大手グローバルサプライヤのラムリサーチ社 (Lam Research Corp.)(NASDAQ: LRCX)は、先進パターニングに必要な厳正なプロセス制御と生産性を提供する2つの新製品を本日リリースしました。複数パターニング戦略では、光リソグラフィーの使用の拡大と、それに含めるイネーブリングプロセスステップの数の増大に、エッチングと蒸着が欠かせません。ラムリサーチの2300(R) Kiyo(R) F Seriesコンダクタエッチングシステムでは、受け取ったパターンの不均一性を修正するクロスウェハープロセス制御の実現に、Hydra(TM) Uniformity Systemという画期的な技術を使用しています。VECTOR(R) ALD Oxideシステムでは、複数パターニングシーケンスでの重要なパターン寸法の定義のための、非常にコンフォーマルな誘電体膜の作成に、原子層堆積装置(ALD)を使用します。

半導体メーカーは、光リソグラフィーの制限の補正のために、二重および四重パターニングスキーマを使用しています。これらの技法では、目標の寸法にするためにリソグラフィー/エッチング/蒸着ステップを組み合わせて繰り返して、大型の密度の少ないパターンを印刷してから、サイズとスペーシングを縮小しますので、単一パターニングで可能なサイズよりも、小型の機構が作成されます。プロセスステップ数が増加することで、各ステップごとに全体の不均一性が高くなり、変動の問題が深刻化します。このような複合効果がありますので、デバイスを意図どおりに機能させるには、エッチングと蒸着の変動許容度を非常に厳しくする必要があります。変動によりデバイス性能、消費電力、および歩留まりに影響が出、再作業によるコストと時間の無駄が発生する場合がありますので、プロセス制御は不可欠です。プロセスステップの追加による生産コスト増を軽減するには、変動制御に加えて、高い生産性も必要です。

ラムリサーチの市場トップクラスのコンダクタエッチング製品の最新世代、2300 Kiyo F Seriesでは、受け入れるウエハーに存在する限界寸法(CD)の不均一性の修正にHydra技術を使用して、パターニング変動に対応しています。システムの対称なチェンバー設計により、本質的に均一なエッチングプロセスが可能となり、Hydra技術により個所を特定した修正を行って、さらに均一性が向上します。この技術では変動を低減して、上流プロセスでの変動を補正するために、プロプライエタリなハードウェアとソフトウェアを使って、受け入れたCDをマッピングし、ウエハー全体の「マイクロ」ゾーンでエッチングプロセス条件を調整します。

VECTOR ALD Oxideシステムは、原子スケール蒸着を活用して、均等な厚さで反復性が高く欠陥率の低い、非常にコンフォーマルな膜を提供します。これらの機能は、後のステップのために堆積膜をマスクにし、重要なパターン寸法を定義するスペーサーベースの複数パターニングアプローチに欠かせません。VECTOR ALD Oxideシステムは、低温で膜を蒸着できますので、さまざまな素材上でスペーサー形成が可能です。さらに、ハードウェア設計により高速ガススイッチングが可能になり、競合システムよりも高い生産性を発揮します。

「ラムリサーチの複数パターニングアプリケーション向け先進テクノロジーは、お客様のもっとも根本的な課題の克服に役立ちます。」と、グローバル製品EXPのRick Gottschoは述べました。ラムリサーチは、イノベーションの最先端を走り続けるため、多くの戦略に取り組んでいます。これらの戦略には、最近発表された、imecの先進パターニングソリューション開発サプライヤハブへの参加などが含まれます。「半導体メーカーは、デバイス設計を拡張し続けていますので、これらの小型で高密度の先進半導体の構築のための、光リソグラフィーの拡大において、弊社のエッチングおよび蒸着システムは、ますます重要になっています。」と、Gottschoは結論付けました。

将来予想に関する記述(Forward-Looking Statements)についての注意事項

このプレスリリースの記述は、過去の事実についての記述を除き、将来予想に関する記述(forward-looking statement)であり、1995年の私募証券訴訟改革法の「セーフハーバー」条項の対象です。このような将来予想に関する記述は、次のような記述に関連しますが、これに限定されるわけではありません。先進的パターニングに必要なプロセスコントロールと生産性を提供する能力など、ラムリサーチの製品のパフォーマンスに関する記述。光リソグラフィーの拡大におけるラムリサーチのシステムの重要性の増大。このような将来予想に関する記述は、現在の信念と期待に基づいていますので、ラムリサーチの年次報告書(書式10-K)の「リスク因子」の項目や、ラムリサーチが米国証券取引委員会に提出した他の文書に詳述されたリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により左右されます。このようなリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により、予測不可能な形で、本書に明示されている内容と実際の結果が大きく異なる場合があります。これらの将来の見通しに関する記述は、記述の書かれた日付時点にラムリサーチが合理的な方法で入手していた情報のみを記載していますので、お読みになる際は過大な信頼を置かないようにご注意ください。この文書の日付以降に発生した出来事や状況を反映するため、または予測または不測の事態の発生や影響を反映するために、これらの将来予想に関する記述の改訂が行われた場合でも、弊社は、それを公表する義務を負いません。

ラムリサーチについて

ラムリサーチ株式会社(NASDAQ: LRCX)は、半導体業界向けの革新的なウエハー生産設備およびサービスの提供で信頼を集めているグローバルサプライヤです。蒸着、エッチング、ストリップ、ウエハークリーニングなどの、ラムリサーチの市場トップクラスのソリューションの幅広いポートフォリオにより、お客様は砂粒の1,000分の1の大きさのデバイス機構を実現し、チップの小型化やスピードと電力効率の向上して、ウエハー事業の成功の達成に役立てることができます。ラムリサーチはコラボレーション、継続的イノベーション、コミットメント達成などを通じて、原子スケールのエンジニアリングを変革し、お客様が将来技術を生み出す支援をします。ラムリサーチは米国カリフォルニア州フレモントに本社を置くS&P 500(R)企業で、普通株をNASDAQ(R) Global Select Market(TM)にシンボルLRCXで上場しています。詳しい情報については、 http://www.lamresearch.com をご覧ください。

お問合せ情報
ラムリサーチお問い合わせ先:
Bob Climo
コーポレート広報
+1-510-572-5048
bob.climo@lamresearch.com

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