高速・高信頼の次世代フラッシュメモリ技術「B4-Flash」の開発・製造において株式会社GENUSIONとロームグループが連携を強化

@Press / 2012年2月23日 17時0分

次世代フラッシュメモリの開発、販売を行っている株式会社GENUSION(ジェニュージョン、2002年設立、所在地:兵庫県尼崎市、代表取締役社長:中島 盛義、以下、GENUSION)とロームグループは、GENUSIONの独自技術である高速・高信頼の次世代フラッシュメモリ技術「B4-Flash」の開発分野におけるライセンス契約を新たに締結し、業務連携を強化しました。


B4-FlashメモリはGENUSIONの独自技術を用いた不揮発性メモリ技術(電源を切ってもデータが消えないメモリ)で従来のNOR型フラッシュメモリと比べて低コスト、高速書込み・消去が可能、書換え後に高温下での長期間データ保存が可能、大容量化が容易といった特長を数多く有しております。
GENUSIONは独自の半導体プロセス技術により、昨年春にB4-Flashメモリの開発を完了し、ローム株式会社が有する高信頼プロセスでの製造委託について合意。ローム株式会社ではB4-Flashメモリの製造技術開発を進め、10月から既にGENUSION向けに量産をスタートしています。

こうした状況を背景に、ローム株式会社はカーナビゲーションやスマートフォン向けのシステムソリューションの強化の為に、GENUSIONとのB4-Flash技術のライセンス契約を締結しました。ローム株式会社は本ライセンス契約により自社製品としてB4-Flashメモリを内蔵したシステムLSIのラインアップを拡充することとなりました。

本契約締結によりローム株式会社は従来の生産受託だけでなく、優れた特長を有する不揮発性メモリであるB4-Flashメモリを自社の電源ICやドライバーなどアナログ製品やSoCなどのロジック製品に組み込み、より付加価値の高い製品を提供することが可能になります。また、ロームグループのラピスセミコンダクタ社では、得意とするロジックLSIやメモリLSIのラインアップに加えて、B4-Flashメモリを同社の汎用メモリ製品として開発・製造することが可能となり、両社の半導体製品の市場における優位性が増すものと期待されています。

GENUSION及びローム株式会社、ラピスセミコンダクタ社は、今後もB4-Flashメモリ関連製品の開発、製造を通じて、より一層の技術融合を図り、付加価値の高い製品、ソリューションを提案してまいります。


■B4-Flashメモリの主な特長
・従来のNOR型フラッシュメモリに対して、高速書込み・消去が可能(約5倍~10倍)
・1万回書換え後、高温下(125度)での長期間データ保存(20年間)可能。10万回化予定
・大容量(512Mb~1Gb)


■GENUSIONについて
GENUSIONは2002年に設立され、半導体メモリにおける技術革新を推進しています。GENUSIONの独自技術を用いたB4-Flashメモリは高速書込み・消去と高い信頼性を低コストで提供する事ができます。GENUSIONの製品ビジネスは独自のメモリ技術とSiP(System in Package)設計技術に基づき、先端半導体メーカー、アセンブリ・テストハウス、商社などとの連携の下に実行されています。GENUSIONは独自技術に基づく自社製品の販売と、それら優れた半導体メモリ技術のライセンスによる顧客製品への提供を目指しています。
GENUSIONについての詳しい情報は http://www.genusion.co.jp を参照ください。


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