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米国におけるSiC半導体技術 特許総合力トップ3はCREE、ローム、住友電工

DreamNews / 2021年10月8日 11時0分

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株式会社パテント・リザルトは10月8日、米国特許商標庁が2021年7月末までに公開した「SiC半導体関連技術」について、特許分析ツール「Biz Cruncher」を用いて参入企業に関する調査結果をまとめ、レポートの販売を開始しました。

SiC(炭化ケイ素)はシリコンと炭素が1対1で構成された化合物であり、絶縁破壊強度が高く、従来のシリコンデバイスよりも、高耐圧かつ低損失な半導体を実現することができるという特徴があります。大電流・高耐圧が求められる車載用や太陽光インバータ、データセンターなど幅広い分野で利用されています。

今調査では米国特許商標庁で公開された「SiC半導体関連技術」について、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースに、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました。

結果、「総合力ランキング」は1位 CREE、2位 ローム、3位 住友電気工業となりました。上位5社中、日本企業は4社がランクインしています。

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1位 CREEの注目度の高い特許には、「電力損失を抑える高電力絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ」や「半導体基板上に形成された配線とデバイスのn型領域、p型領域とを電気的に接続するオーミックコンタクトが良好なSiC半導体」などが挙げられます。

2位 ロームの注目度の高い特許には、「チャネル移動度の向上およびオフリーク電流の十分な低減を達成することができる半導体」や「オフ時の絶縁破壊耐圧を向上させることができ、さらにチャネル特性を制御できる半導体」などが挙げられます。

3位 住友電気工業は「チャネル移動度などの電気的特性に優れたSiC半導体」や「エピタキシャル膜や半導体素子を形成する工程における不良の発生確率を低減することが可能な半導体」などが注目度の高い特許として挙げられます。

4位 三菱電機は「ターンオフ時にゲート電極のトレンチ底部の保護拡散層に流れ込む変位電流に起因する、ゲート絶縁膜の破壊を抑制することができる半導体」などが、5位 デンソーは「チャネル移動度を向上させる半導体」などが、注目度の高い特許としてそれぞれ挙げられます。

そのほか6位以下には富士電機、パナソニック、東芝などがランクインしています。

本分析の詳細については、特許・技術調査レポート「米国:SiC半導体半導体 特許総合力ランキング」にてご覧いただけます。

■価格:100,000円~(税抜)
お申し込みは下記URLをご参照ください。
https://www.patentresult.co.jp/news/2021/10/ussic.html

■特許・技術調査レポートについて
https://www.patentresult.co.jp/report/index.html

■特許分析セミナー情報
https://www.patentresult.co.jp/seminar/

■本件に関するお問い合せ先
株式会社パテント・リザルト 事業本部 営業グループ
Tel:03-5802-6580
Fax:03-5802-8271
ホームページURL: https://www.patentresult.co.jp/

■会社概要
社名:株式会社パテント・リザルト
住所:〒113-0033 東京都文京区本郷2-15-13 お茶の水ウイングビル5階



配信元企業:株式会社パテント・リザルト
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