キヤノン、ナノインプリント半導体製造装置を米半導体コンソーシアム「TIE」に出荷

画像提供：マイナビニュース

キヤノンは9月26日、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics(TIE)」に出荷したことを発表した。

NILは、従来の投影型露光装置が光を使って回路を形成するのとは異なり、ウェハ上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスクをダイレクトに押し付けて回路パターンを形成する技術。光学系を簡素化できる(レジストを硬化させるための紫外線照射機構が必要)ため、投影露光装置に比べて装置のフットプリントの削減や低消費電力化、低コスト化などを可能としつつ、同装置では、先端ロジックプロセスである5nmノード相当の最小線幅14nmのパターン形成を可能にしたという。

TIEは2021年に設立された米国テキサス大学オースティン校が支援するコンソーシアムで、州政府・自治体、半導体企業、国立研究所などで構成されており、オープンアクセスに基づく半導体の研究開発・試作施設の提供を行うことで、先端パッケージング技術を含む先端半導体技術の課題解決を目指している。

なお、TIEでは同装置を、先端半導体の研究開発や試作品の製造などに活用する予定としている。また、キヤノンでは今後もNILを活用した半導体製造装置に関する研究開発を進めていくことで、半導体製造技術の向上を目指すとしている。
（小林行雄）