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Nexperia、新マンチェスター8インチ・ウェハ・ライン初の製品として業界をリードするQrr性能指数の80V/100V MOSFETを発表

PR TIMES / 2021年6月25日 14時45分

即時供給実現のため、新製造ラインにより生産能力を拡大

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia(本社:オランダ、ナイメーヘン)は、英国のマンチェスターの新8インチ・ウェハ・ラインで製造される初めての製品が、最新のNextPowerシリコン技術を使用した低オン抵抗(RDS(on))、低逆回復電荷(Qrr)の80V/100V MOSFETになることを発表しました。新製造ラインはNexperiaの生産能力を即座に拡大します。新製品のPSMN3R9-100YSF(100V)とPSMN3R5-80YSF(80V)は、業界で最も低いQrr性能指数(RDS(on) x Qrr)を提供します。



[画像: https://prtimes.jp/i/46678/21/resize/d46678-21-140205-0.jpg ]

Nexperiaのプロダクト・マネージャーであるMike Beckerは、次のように述べています。「世界的な半導体不足の中、これらの新製品が製造されるマンチェスターとフィリピンの工場を含むNexperiaのグローバルな製造拠点での生産能力拡大に向けた投資を、調達に関わるお客様は非常に大きく歓迎するでしょう。また、設計者はこれらのMOSFETの高い性能に期待を抱いているでしょう。新製品は多くのスイッチング・アプリケーションに最適なため、他のベンダーの製品に対して遜色のない真のセカンド・ソースとしての選択肢となりえます」。

NextPower 80V/100VシリコンMOSFETは前世代の100V製品と比較し、オン抵抗を7mΩからわずか4.3mΩへと大幅に低減しており、効率向上を実現します。また、NextPower技術は100V製品で44nCとクラス最高の低逆回復電荷を実現し、スパイクと放射エミッションを低減します。その結果、100V製品は競合製品と比較し、Qrr性能指数を平均で61%低減します。

新しい80V/100V MOSFETは、電気特性と放熱特性の高いNexperiaのLFPAK56E銅クリップ技術パッケージで提供されます。新製品はAC/DC、DC/DC、モーター制御などの広範なスイッチング・アプリケーションに最適です。

製品仕様やデータシートなどの詳細については、
http://www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS/ をご覧ください。

Nexperiaについて
Nexperia( https://www.nexperia.com/)は世界ですべての電子設計に求められる必要不可欠な半導体やコンポーネントの量産のエキスパートとして、世界をリードしています。Nexperiaはダイオード、バイポーラ・トランジスタ、ESD保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログ/ロジックICなどの広範な製品ポートフォリオを提供しています。本社はオランダのナイメーヘンで、年間製品出荷数は900億を超えており、各製品は自動車業界が設定した厳格な基準に適合しています。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能の面で効率のベンチマークとして高い評価を得ており、貴重な電力とスペースを節減し業界をリードする小型パッケージで提供されています。

Nexperiaは数十年間にわたって世界のリーディング企業に製品を供給してきた実績を持っており、アジア、欧州、米国で12,000名を超える従業員を雇用しています。NexperiaはWingtech Technology Co., Ltd.(600745.SS)の子会社であり、広範なIPポートフォリオを有し、IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、OHSAS 18001の認証を取得しています。

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