フリースケール、初となる携帯電話インフラストラクチャ・ アプリケーション向けGaN RF製品を発表

PR TIMES / 2012年6月21日 11時56分

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ)は、GaN(窒化ガリウム/ガリウム・ナイトライド)技術を活用した初のRFパワー・アンプ製品を発表しました。新しいRFパワーGaN製品は、まずは携帯電話インフラストラクチャ市場をターゲットに展開され、将来的にはアビオニクス、レーダー、ISM(工業・科学・医療)、ソフトウェア無線などのアプリケーション向けに拡充される予定です。

フリースケール初のGaN製品となる「AFG25HW355S」デバイスは、パワー・アンプ・ソリューション・ポートフォリオの最新メンバーとなります。現在のフリースケールRFパワー・ポートフォリオには、12V/28V/50VシリコンLDMOS製品、5V GaAs HBT、5V/12V GaAs pHEMTソリューション、最大100GHz以上で動作する高周波SiGe技術などがあります。

フリースケールの副社長兼RFディビジョン担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「フリースケールのGaN RFパワー・ソリューションは、RFパワー市場向けにさまざまな技術を柔軟に市場展開するフリースケールのアプローチを実証するものです。2000年代中頃からGaN技術の開発に取り組んできたフリースケールは、費用対効果、性能、信頼性の理想的な組み合わせを確立しました。そしてこのたび、フリースケールの幅広いRFパワー・アンプ・ソリューションにGaNベース製品が加わります。」

AFG25HW355Sは、350WのHiP(ハイパフォーマンス・イン・パッケージ)2:1非対称型デバイスです。主な特長は次のとおりです。

2.3GHz~2.7GHz
56dBmのピーク出力
50%の効率
16dBのゲイン
NI-780パッケージ

パワー・アンプにGaN技術を活用することで、小型化、低い寄生容量、高い出力密度、高い周波数動作などの利点がもたらされます。将来的なGaNベース携帯電話アプリケーションには、歪補償性の確保、高効率(ドハティ)、高出力パルス(非線形)アプリケーション、ブロードバンドPA、スイッチモード・アンプ設定などがあります。

供給
AFG25HW355Sは、まもなく特定顧客向けにサンプル出荷が開始されます。量産開始は、2013年第2四半期に予定されています。詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお尋ねください。

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