フリースケール、RF技術におけるリーダーシップを強化する 第二世代Airfastパワー・アンプ・ソリューションを導入

PR TIMES / 2014年6月9日 15時57分

ドハティ構成で効率50%の壁を打ち破るAirfast RFパワーLDMOSデバイス



フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ、以下 フリースケール)は、GSM/UMTSやCDMA/W-CDMA、LTE、TD-LTEなど、先進的なワイヤレス基地局機器を対象に新次元の性能を実現する第二世代AirfastTM(エア・ファスト)RFパワー・ソリューションを発表しました。

フリースケールの最新Airfast RFパワー・ソリューション・ファミリは、これまでの28Vディスクリート・シングルステージ・パワー・アンプで構成される従来世代製品の成功と実績を土台にしています。第一世代Airfastの回路構成、ダイ、マッチング回路、パッケージ技術を活用・拡張することで、業界の新基準となる次世代Airfastテクノロジが誕生しました。最初の量産RFパワーLDMOSパーツは、ドハティ構成で50%の効率を達成します。また、第二世代Airfastパワー・アンプは、ポートフォリオの幅を広げました。2ステージ集積回路も含まれるようになり、シングル・パッケージには複数のゲイン・ステージが組み込まれています。さらに、GaN(窒化ガリウム)や48V LDMOSといったプロセス技術をベースとする新製品が追加されています。

新デバイスは、幅広いカスタマ・ソリューション/カスタマ・サポートによって補完されます。アプリケーションに応じたリファレンス・デザインが提供されるため、設定手順や開発手順に従うだけで、さまざまな共通システムの設計や開発を迅速に開始できます。

フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるポール・ハートは、次のように述べています。「第二世代Airfastソリューションは、性能、効率性、開発時間の水準を引き上げます。RFパワー・アンプ業界をリードするフリースケールの新デバイスは、さまざまなセルラー規格の限界を超え、ワイヤレス市場において新次元の技術革新を実現します。」

製品の主な特長
第二世代Airfastソリューションの最初のメンバ製品は次のとおりです。

A2T07H310-24S - 300W非対称ドハティ・トランジスタ、720~960MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け。ドハティ構成において、8dBのバックオフで効率50%の壁を打ち破り、55dBmのピーク電力、18.9dBのゲインを実現。NI-1230S-4L2Lパッケージで提供。
A2T07D160W04S - 160Wデュアルパス・トランジスタ、728~960MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け。ドハティ構成において、7dBの出力バックオフで51%の効率を達成し、52.5dBmのピーク電力、21.5dBより高いゲインを実現。NI-780S-4Lパッケージで提供。
A2T26H160-24S - 160W RF非対称ドハティ・トランジスタ、2496~2690MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け。ドハティ構成において、8dBのバックオフで47%の効率を達成し、52.5dBmのピーク電力、15.7dBのゲインを実現。NI-780S-4L2Lパッケージで提供。
A2I25D012N - 12W RF集積回路、2300~2690MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け。ドハティ構成において、8dBの出力バックオフで41%の効率を達成し、43.5dBmのピーク電力、29dBのゲインを実現。新しいTO-270WB-15プラスチック・パッケージで提供。
A2I22D050N - 50W RF集積回路、2000~2200MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け。ドハティ構成において、8dBの出力バックオフで42%の効率を達成し、49dBmのピーク電力、28dBのゲインを実現。新しいTO-270WB-15プラスチック・パッケージで提供。

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