最先端28nm/20nmのFD-SOI技術に関しGLOBALFOUNDRIES社と生産補完

PR TIMES / 2012年6月13日 9時50分

ST独自のFD-SOI技術の量産により、
高性能・低消費電力化を推進する次世代モバイル機器をサポート
--------------------------------------------------------------------
エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、
テクノロジー・ロードマップを世界的にリードするGLOBALFOUNDRIES社がST独自
の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術を用いた
28nm/20nmデバイスの製造に合意したことを発表しました。STのFD-SOI製品の
大量生産およびタイムリーな供給は、卓越したグラフィックやマルチメディア、
高速ブロードバンド接続を低消費電力で実行するスマートフォンやタブレットの
市場要求に対応する上で、非常に重要です。

マルチメディア・コンバージェンス分野では、高い性能と優れたエネルギー効率
を両立するテクノロジーが求められています。従来のトランジスタは、形状の
縮小に伴い、バッテリの浪費や許容範囲を超える温度上昇を避けて最適な性能を
得ることが不可能になりつつあります。その解決策として、高いピーク性能、
様々な使用状況における低い動作電圧(電力供給が低下しても良好な性能を維持)
、低いスタンバイ電力を同時に実現できる完全空乏型トランジスタの採用があり
ます。

STのプレーナ型FD-SOI技術は、コスト効率に優れたソリューションを実現します。
STは28nmプロセスに基づく完全空乏型デバイスの供給に関し、大きく業界を
リードしています。

・STは、クロル工場(フランス)におけるFD-SOI製品の自社製造能力を、
 GLOBALFOUNDRIES社の生産能力で補完することにより、供給力を向上させまし
 た。STは、現在、製品化を進めている28nm世代のFD-SOI製品の試作品を
 2012年7月に提供する予定です。

・20nm世代のFD-SOI製品は現在開発中で、2013年第3四半期までに試作品が完成
 する予定です。

STのFD-SOI技術は、ST-エリクソンの次期モバイル・プラットフォームへの採用
がすでに決定しており、ST-エリクソンのNovaThor(TM)プラットフォームの最大
性能時における消費電力を35%程度低減することで、バッテリ消費を大幅に抑え
ながら、性能を向上させます。

PR TIMES

トピックスRSS

ランキング