電源設計を革新する「テールレス」な600V耐圧IGBTを発表

PR TIMES / 2013年12月6日 9時37分

STマイクロエレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、先進的な600V耐圧
トレンチゲート・フィールドストップIGBT(1) Vシリーズを発表しました。この
IGBTは、スムーズでテールレスな（テール電流の出ない）ターンオフ特性、最低
1.8Vの低飽和電圧、および最大175℃の動作接合部温度を特徴としており、
システムの電力効率とスイッチング周波数を高め、熱設計とEMI(2)設計を簡略化
します。

この最新のIGBTは、従来品のターンオフ時の電流テールを除去することで、
スイッチング損失の低減と最大動作周波数を高めています。また、超薄型ダイの
ため、スイッチング性能が確保されると共に、放熱性が向上しています。独自に
最適化されたトレンチゲート・フィールドストップ・プロセスが、高い熱伝導性
と最大175℃の接合部温度、および飽和電圧などのパラメータを高い精度で提供
します。これにより、複数のIGBTを安全に並列接続し、電流密度と導通損失を低
く抑えることが可能になります。

この最新のIGBTは、極めて堅牢で、高いdV/dt耐量を特徴としています。同一
パッケージの超高速ソフト・リカバリ・ダイオードが、ターンオン時の電力損失
を最小化します。特定のアプリケーション向けには、ダイオードを搭載していな
い製品も用意されています。

STのVシリーズIGBT（定格電流: 20A～80A）は現在量産中で、各種パッケージ
（TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247、D2PAK）で提供されます。TO-247
パッケージで提供されるSTGW40V60DF（定格電流40A、600V耐圧）の1000個購入時
の単価は、2.80ドルです。詳細については、 http://www.st.com/igbt をご覧
ください。

(1)絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ
(2)電磁干渉

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・
プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を
提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・
セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、
家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆる
シーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた
技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2012年の売上
は84.9億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト
（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250　FAX: 03-5783-8216

企業プレスリリース詳細へ
 PRTIMESトップへ