小型インバータ向けに新しいSiCダイオードを発表

PR TIMES / 2014年11月27日 10時12分

サージ電流耐量が向上し、PHEV用充電器から太陽光発電システムまで様々なパワー系アプリケーションに最適



多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーで、パワー半導体の主要サプライヤであるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、自動車規格に準拠した新しいSiC(炭化ケイ素)ダイオードを発表しました。同製品は、限られたスペースで高い電力変換能力が要求されるプラグイン・ハイブリッド(PHEV)車などに装備されている先進的な搭載型充電器(OBC)に最適です。

より小型のパワー・モジュールの開発を可能にする今回の新しいダイオードは車載機器に最適であるだけでなく、Google社ならびにIEEEが主導するLittle Box Challengeコンテストへ取り組む上で重要な選択肢にもなります。STは、超小型太陽光発電システムをはじめとする様々なアプリケーション向けに、従来品の10分の1に小型化されたインバータ(kWクラス)の設計を目指す新しいコンテスト(賞金100万ドル)において、デバイス製造パートナーを務めています。

先進的なテクノロジーを採用した今回の新しいSiCダイオードは、大きなスパイク電流によるデバイスの破損を防ぐことができます。従来、設計者は安全性確保のために実際の使用条件よりも高い仕様のダイオードを選択することが一般的でしたが、STの新しいテクノロジーが定格電流の2.5倍の過電流能力を提供することにより、信頼性の低下や効率の悪化を招くことなく、小型かつ経済的で電流の小さいダイオードを選択することができます。

自動車規格に準拠するとともに、逆耐電圧を650Vまで増やした今回の新しいSiCダイオードは、OBCに使用される半導体全体によって通常時と短時間のピーク電圧の間に十分な安全余裕度を確保するために、設計者や自動車メーカーが求める電圧ディレーティング係数を満たすことができます。

さらに、今回の新しいSiCダイオードは、従来のシリコン製品と比べ、より製品寸法と連動したスイッチング損失低減と定格電圧増加を実現するワイド・バンド・ギャップ(WBG)技術として認知されているSiCが持つ電力効率の優位性を利用しています。今回発表した650V耐圧のSTPSC10H065DY(10A)はTO-220ACパッケージ、STPSC12H065DY(12A)はTO-220ACパッケージで各々提供されます。さらに、TO-220ABパッケージで提供されるSTPSC20H065CTYと、TO-247パッケージで提供されるSTPSC20H065CWYは、省スペースを実現し、OBCの軽量化に貢献する2素子入りダイオード(2 x 10A)です。

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