最先端の高性能ガルバニック絶縁内蔵ゲート・ドライバ gapDRIVE(TM)を発表

PR TIMES / 2014年12月16日 9時56分



STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、ガルバニック絶縁とアナログ・ロジック回路を同一チップ上に集積した先進的なシングル・チャネル・ゲートドライバ STGAP1Sを発表しました。同製品は、ドライバの設計を簡略化するだけでなく、電力制御の安全性と信頼性を高める高ノイズ耐性を実現します。

STの提供する次世代ゲート・ドライバgapDRIVE(TM)の最初の製品であるSTGAP1Sは、ST独自のプロセス技術であるBCD(バイポーラ・CMOS・DMOS)に、チップ上に絶縁層を生成するイノベーションを組み合わせることで、より高度なシステム統合を実現しています。同製品の高耐圧レールは、その他の回路に干渉することなく最大1500Vまで対応できるため、産業機器、高電圧インバータ(600V / 1200V)、太陽光発電システム用インバータ、無停電電源装置に適したロバスト性を備えています。

STGAP1Sは、信号伝播遅延時間を100nsに抑えており、高精度PWM信号の伝送が可能です。集積されているドライバ段は、最大5Aのシンクまたはソース電流とレール・ツー・レール出力に対応しており、大型IGBTやワイド・バンドギャップのパワー・スイッチ(SiC MOSFET等)に使用される負駆動電圧を可能とします。±50V/nsを超える高いコモン・モード過渡電圧耐性により、絶縁層での通信の信頼性と、安全な動作が確保されています。また、独立したシンク出力とソース出力が、設計の柔軟性を向上させると同時に、外付け部品の削減に役立ちます。

STGAP1Sは、SPIポートを内蔵しており、コントロール・ロジック設定とステータス・モニタのための業界標準ホスト接続を提供します。ホスト側ではこのインタフェースを通じて豊富なデジタル診断機能を利用できるため、システム保護と信頼性がさらに強化されます。

STGAP1Sには、過酷な動作環境下においても信頼性を最大限に高めるさまざまな保護機能が搭載されています。例えば、トランジスタの予期しないターンオンを防止するパワー段のアクティブミラー・クランプ、短絡回路状態でパワー・スイッチを保護する不飽和検知機能、危険な電圧オーバーシュートを防止するコレクタ-エミッタ過電圧保護および出力2レベル・ターンオフ機能、加熱保護機能、低電圧ロックアウト(UVLO)および過電圧ロックアウト(OVLO)、過電流検知専用センサピンなどが含まれています。

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