米政権、ＮＹの半導体施設に8.25億ドル投資 ＥＵＶ研究をけん引

　１０月３１日、米バイデン政権は、ハイテク産業をてこ入れし、外国技術への依存低減を図る取り組みの一環として、ニューヨーク州アルバニーに開設される半導体の研究開発施設に８億２５００万ドルを投資すると発表した。写真は半導体チップ。北京で２０２２年２月撮影（２０２４　ロイター／Florence Lo）

[３１日 ロイター] - 米バイデン政権は３１日、ハイテク産業をてこ入れし、外国技術への依存低減を図る取り組みの一環として、ニューヨーク州アルバニーに開設される半導体の研究開発施設に８億２５００万ドルを投資すると発表した。

米商務省と国立半導体技術研究センター（ＮＴＳＣ）を運営するＮａｔｃａｓｔによると、同施設では半導体製造に不可欠な極端紫外線（ＥＵＶ）露光技術の革新をけん引することが期待されている。

バイデン政権は数日前、安全保障の脅威となり得るとして、人工知能（ＡＩ）などハイテク技術への対中投資を制限する規則を最終決定したばかり。新規則は２０２５年１月２日に発効される予定だ。