デンソーと三菱電機、米コヒレントのＳｉＣ事業に出資 計10億ドル

１０月１０日、自動車産業向け半導体材料を手掛ける米コヒレントは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）事業にデンソーと三菱電機が計１０億ドルを投資すると発表した。写真は三菱電機のロゴ。２０１７年１０月撮影（２０２３年　ロイター/Toru Hanai）

[１０日 ロイター] - 自動車産業向け半導体材料を手掛ける米コヒレントは１０日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）事業にデンソーと三菱電機が計１０億ドルを投資すると発表した。

デンソーと三菱電機はそれぞれ５億ドルを出資し、同事業の株式を１２．５％ずつ取得する。

今回の合意は、ＳｉＣウエハーの生産拡大に今後１０年間で１０億ドルを投資するコヒレントの計画に沿ったもの。

ＳｉＣ半導体は電気自動車（ＥＶ）のインバーターや駆動装置など大量の電力変換を必要とする用途に用いられ、従来のシリコンを使った半導体に比べＥＶの航続距離を伸ばせる。

三菱電機の竹見政義・上席執行役員（半導体・デバイス事業本部長）は発表文で、脱炭素社会の実現に向けた電気自動車の世界的な需要の拡大に伴い、ＳｉＣパワー半導体需要の急拡大が予想されていると述べた。