パナソニックHIT(R)太陽電池がフラウンホーファー研究機構でPID耐性を実証

JCN Newswire / 2013年1月15日 18時8分

高システム電圧、高温多湿な環境下でも総出力が低下しない

Osaka, Jan 15, 2013 - (JCN Newswire) - パナソニックグループ エナジー社は、当社製HIT 太陽電池モジュールが、フラウンホーファー研究機構シリコン太陽光発電研究センター(Fraunhofer Center for Silicon Photovoltaics CSP 、以下フラウンホーファーCSP、ドイツ・ハレ市)の試験において、PID(Potential Induced Degradation:電圧誘起出力低下)耐性を有することを実証しました。

PID 現象とは、太陽電池セルと接地されたフレームとの間に高電圧がかけられた状態で高温多湿などの外部要因が加わった場合に起こりやすい、出力低下現象です。太陽電池モジュールだけでなく、太陽光発電システム全体の総出力を低下させる恐れがあります。

今回のフラウンホーファーCSP における試験は、10 台のHIT 太陽電池モジュールを用いて、摂氏50 度、相対湿度50%、正と負の電圧1,000V の条件下で、48 時間実施されました。その結果、全てのモジュールにおいて、出力が低下することはありませんでした。

フラウンホーファーCSP の責任者であるマティアス・エヴァート博士は、「パナソニックHIT 太陽電池は他の太陽電池とは異なる独自の構造を持っています。この特徴に合わせ、正と負の両方の電圧で試験をすることにより、HIT 太陽電池のPID 耐性を証明できました」と述べています。

一般的な結晶シリコン系太陽電池において、太陽電池セル表面の絶縁層が帯電することがPIDを引き起こす直接の原因と考えられています。HIT 太陽電池はセル最表面(両面)が透明導電膜であり、絶縁層を用いていないことから、PID は起こり得ない構造です。これまでヨーロッパ、北米、日本の市場において、PID 発生事例の報告はありません。また、昨年9 月には、太陽電池の評価試験などを行う国内の専門機関、株式会社ケミトックスにおける検証試験でもPID 耐性を立証しています。今回の結果により、国内外2 機関の条件が異なる試験で、PID 耐性を実証できたことになります。

今後も当社は、高品質かつ高信頼性を備えたモジュールの開発を加速させ、お客様のご要望に対応するとともに、事業の拡大を図ってまいります。

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