ラムリサーチの新製品が、3D NANDメモリデバイス構築に欠かせない機能を提供

JCN Newswire / 2014年7月9日 12時21分

San Francisco, July 9, 2014 - (JCN Newswire) - 半導体業界向けの革新的なウエハー製造設備およびサービスの大手グローバルサプライヤのラムリサーチ社 (Lam Research Corp.)(NASDAQ: LRCX)は、3D NAND生産用の最新薄膜蒸着およびプラズマエッチング製品を本日発表しました。現在メモリ企業のお客様がこれらの新デバイスの増産を開始していることから、生産のコスト効果を高めるため、プロセス制御の強化が必要とされています。ラムリサーチの新システムは、3D NANDメモリセル形成にもっとも重要な3ステップ、つまりスタック蒸着(VECTOR(R) Q Strata(TM))、垂直チャネルエッチング(2300(R) Flex(TM) F Series)、およびタングステンワードライン蒸着(ALTUS(R) Max ICEFill(TM))のニーズに対応しています。

現在生産に移行中の3D NANDメモリ構造には、多くの積層膜ペアが含まれています。最終デバイスの各メモリセルが同じパフォーマンスを提供するように、水平および垂直の両プレーンのプロセス変動は、重要なステップのために最小化されなければなりません。そうでない場合、1つのステップの変動が次のステップに伝わり、倍加され、複合エラーや、デバイスパフォーマンスの劣化、生産歩留まりの低下につながります。スタックには40以上のペアの膜がありますので、わずかなプロセス変動にも慎重な管理が欠かせません。ラムリサーチの新製品は、次のような厳しい制御要件に対応しています。

多層膜スタックの蒸着には、新型VECTOR Q Strata PECVD (プラズマ拡張化学気相成長法)システムが使用されています。この重要な3D NANDプロセスステップでは、システムは酸化物/窒化物(ONON)および酸化物/ポリシリコン(OPOP)膜スタック蒸着の両方を実施できます。複合エラーの回避に必要な、非常にスムーズで均等な膜を蒸着するために、システムの整合チェンバーは、優れた欠陥率、膜応力およびウエハーボウパフォーマンスを提供します。さらにVECTOR Q Strataは、業界トップクラスの生産性と、現在利用可能な中で最高の、ファブエリアでの平方メートル当たりのスループットを提供します。これらのスタックの層の数は増加し続けていますので、コスト効果の高い生産のために、高い生産性がますます重要になっています。

膜のペアのスタックが蒸着されると、スタック中に垂直のチャネルを作成するため、ラムリサーチの2300 Flex F Series誘電エッチング製品が使用されます。新システムでは、歪みや側面の損傷を最小限に抑え、ウエハー全体のエッチングプロファイルの均一性を厳しく制御しながら、高いアスペクト比の構造中にエッチングできます。わずかな偏差によりセルごとのチャネル寸法が違ってしまい、デバイスパフォーマンス変動が起きることがありますので、この機能は重要です。エネルギーモジュールの付いたプロプライエタリな高イオンエネルギー源により、このような結果が実現します。

ラムリサーチの市場トップクラスのタングステン蒸着製品ラインの最新製品、ALTUS Max ICEFillシステムは、幾何学的に複雑な3D NANDワードラインを空隙なしに充填して、変動を制御します。この新システムでは独自の充填技法を使用し、内側から外側への原子層堆積(ALD)プロセスで、タングステンワードラインを作成します。ICEFillプロセスでは、側面(水平)ラインを空隙なしに完全に充填しながら、同時に垂直チャネルエリアの蒸着を最小化します。その結果、電気性能と歩留まりの両方が拡大します。

「我々はラムリサーチでのコラボレーションに重点を置くことで、高速で効果の高いイノベーションを行い、お客様に必要なイネーブリング機能を提供しています。」と、グローバル製品EXPのRick Gottschoは述べました。「お客様とリサーチパートナーのサポートと専門知識により、ラムリサーチは、VECTOR Q Strata、2300 Flex F SeriesおよびALTUS Max ICEFillの3つの製品を現在提供しています。これらの製品は、3D NANDメモリデバイスの開発と増産に重要な役割を果たしています。」

将来予想に関する記述(Forward-Looking Statements)についての注意事項

このプレスリリースの記述は、過去の事実についての記述を除き、将来予想に関する記述(forward-looking statement)であり、1995年の私募証券訴訟改革法の「セーフハーバー」条項の対象です。このような将来予想に関する記述は、次のような記述に関連しますが、これに限定されるわけではありません。顧客の制御要件に対応する能力、パフォーマンス品質、ユーザーが操作で得るスループット、歪みまたは損傷のないエッチングをする能力、ウエハー全体のエッチングプロファイルの均一性の制御、空隙なしにラインを充填する能力などの、ラムリサーチの製品のパフォーマンスに関する記述。迅速かつ効果的なイノベーションの実施や、お客様が必要とする機能を提供する能力などの、ラムリサーチの能力。お客様の製品ラインでラムリサーチのツールが果たす役割の重要さ。このような将来予想に関する記述は、現在の信念と期待に基づいていますので、ラムリサーチの年次報告書(書式10-K)の「リスク因子」の項目や、ラムリサーチが米国証券取引委員会に提出した他の文書に詳述されたリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により左右されます。このようなリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により、予測不可能な形で、本書に明示されている内容と実際の結果が大きく異なる場合があります。これらの将来の見通しに関する記述は、記述の書かれた日付時点にラムリサーチが合理的な方法で入手していた情報のみを記載していますので、お読みになる際は過大な信頼を置かないようにご注意ください。この文書の日付以降に発生した出来事や状況を反映するため、または予測または不測の事態の発生や影響を反映するために、これらの将来予想に関する記述の改訂が行われた場合でも、弊社は、それを公表する義務を負いません。

ラムリサーチについて

ラムリサーチ株式会社(NASDAQ: LRCX)は、半導体業界向けの革新的なウエハー生産設備およびサービスの提供で信頼を集めているグローバルサプライヤです。蒸着、エッチング、ストリップ、ウエハークリーニングなどの、ラムリサーチの市場トップクラスのソリューションの幅広いポートフォリオにより、お客様は砂粒の1,000分の1の大きさのデバイス機構を実現し、チップの小型化やスピードと電力効率の向上して、ウエハー事業の成功の達成に役立てることができます。ラムリサーチはコラボレーション、継続的イノベーション、コミットメント達成などを通じて、原子スケールのエンジニアリングを変革し、お客様が将来技術を生み出す支援をします。ラムリサーチは米国カリフォルニア州フレモントに本社を置くS&P 500(R)企業で、普通株をNASDAQ(R) Global Select Market(TM)にシンボルLRCXで上場しています。詳しい情報については、 http://www.lamresearch.com をご覧ください。

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ラムリサーチお問い合わせ先:
Bob Climo
コーポレート広報
+1-510-572-5048
bob.climo@lamresearch.com

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