マイクロン、EUV（極端紫外線）技術を日本に導入し次世代DRAMの製造を行なうと発表

　Micron Technology, Inc.は5月18日、EUV（極端紫外線）技術を日本に導入し、高度なパターニング技術を活用した1γ（1ガンマ）ノードによる次世代DRAMの製造を行なうと発表した。

　1γの導入は1β（1ベータ）ノードの開発に続くものとされ、今回、半導体の量産にEUV技術を導入することで、同社の広島工場は1γノードの開発で重要な役割を果たすとのこと。

　同社は日本政府による支援を前提に、次の数年で1γプロセス技術に最大5000億円を投資。急速に台頭している生成系AI（人工知能）アプリケーションに代表される新たな技術革新の波をエンド・ツー・エンドでサポート。2025年以降に台湾と日本でEUVを用いて1γを立ち上げる計画を引き続き進めるとしている。