【東芝デバイス＆ストレージ】【東芝】SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発

Digital PR Platform / 2024年7月26日 10時48分

図2. シミュレーションで求めたゲート抵抗ゼロにおける2並列MOSFET間の発振条件

[画像3]https://digitalpr.jp/simg/1398/92300/600_190_2024072515502566a1f5b1deb62.jpg

Vgs: ゲートソース間電圧、Vds: ドレインソース間電圧、Id: ドレイン電流

[画像4]https://digitalpr.jp/simg/1398/92300/500_182_2024072515502566a1f5b10b16c.jpg

図3. 試作モジュールのスイッチング波形とスイッチング損失（当社調べ）

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
* 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は株式会社東芝の100％子会社です。