ラピダスとセイコーエプソン、次世代半導体の研究開発拠点の着工式実施 2026年から稼働予定

次世代半導体の量産化を目指すラピダスとセイコーエプソンは、半導体を最終製品に仕上げる研究開発拠点の着工式を行いました。

３日、着工式が行われたのは、ラピダスが製造する次世代半導体を最終製品に仕上げるための研究開発拠点で、ラピダスの半導体工場に隣接する、セイコーエプソン千歳事業所内に開設します。

半導体の製造は基盤に回路を形成する「前工程」と最終製品に仕上げる「後工程」に分かれていて、新たな研究開発拠点には「後工程」の試作ラインを設けます。

ラピダス 小池淳義社長
「非常に近いところで、後工程の研究開発ができるということは、非常に大きな意味があると考えている」

ラピダスは３年後に次世代半導体の量産化を目指していて、研究開発拠点は2026年から稼働する予定です。