ジェトロ、日本国内の半導体エコシステム形成支援に向け、米半導体研究開発支援機関と連携強化（米国、日本）

ジェトロは12月9日、米国ニューヨーク（NY）州の州都オールバニーに所在する最先端の半導体研究開発支援機関ニューヨーククリエイツ（NY CREATES）と、半導体分野における連携強化を目的とした覚書を締結した（2024年12月9日付プレスリリース参照）。

ジェトロ石黒憲彦理事長（左）と、NY CREATESのポール・ケリーCOO（右）（ジェトロ撮影）

今回の覚書では、2025年以降のセミナーやネットワークイベントにおけるジェトロとニューヨーククリエイツの協力を含むほか、日本国内の半導体関連企業・研究機関の集積地との共同プログラムの開催を通じ、両国の半導体エコシステム形成強化を目指す。ニューヨーククリエイツは2024年8月に、北海道およびNY州と3者間での連携協定も締結しており、北海道千歳市で半導体量産を予定しているラピダス（Rapidus）との連携を深めるとされている。

非営利法人であるニューヨーククリエイツは、同州で「オールバニー・ナノテク・コンプレックス（Albany NanoTech Complex）」を運営しており、IBMやアプライドマテリアルズ、東京エレクトロンなどといった半導体関連企業がパートナー企業として入居し、高開口数（NA）EUV露光装置（注）を導入しての先端的な研究開発を進めている（2024年7月4日付地域・分析レポート参照）。

オールバニー・ナノテク・コンプレックスの外観（NY CREATES提供）

さらに、2024年10月には、ニューヨーククリエイツが米国CHIPSおよび科学法（CHIPSプラス法）に基づくEUVアクセラレーターを担うことが発表され、米国の国立半導体技術センター（NSTC）として初の研究開発の旗艦施設となることになり、今後より一層半導体分野における先端研究を主導することが期待されている（2024年11月1日記事参照）。

12月9日にジェトロとの覚書締結に臨んだニューヨーククリエイツのポール・ケリー最高執行責任者（COO）らは、既に日本企業とのパートナーシップを進めている中、今回のジェトロとの連携強化を通じてさらに日本各地の半導体エコシステムとのつながりが加速されることに大きな期待を寄せた。

ジェトロとの連携強化への期待を述べるケリーCOO（右）（ジェトロ撮影）

（注）NAは、露光装置の解像度の指標。EUVは、Extreme Ultraviolet（極端紫外線）の略。EUV露光技術は半導体回路の微細加工に不可欠で、露光装置のレンズ口径を表す開口数（NA）を高めることで、さらなる微細化が実現する。

（平本諒太、豊田裕子）

（米国、日本）