ラピダスと米IBMが技術提携 27年の先端半導体量産に向け

　次世代半導体の国産化を目指すラピダスは4日、回路線幅が2ナノメートル（ナノは10億分の1）相当の先端半導体の量産技術に関するパートナーシップを米IBMと締結したと発表した。IBMからノウハウの提供を受け、2027年の量産開始に向け技術確立を急ぐ。

　両社は既に先端半導体の共同開発でパートナーシップを締結している。今回の提携は、製造工程のうち半導体基板をパッケージに収める「後工程」の技術などが対象。ラピダスが技術者をIBMの米国拠点に派遣して学ぶ。

　ラピダスは政府の支援を受けながら北海道千歳市で次世代半導体の工場を建設しており、25年4月に試作ラインを稼働させる予定。