次世代半導体の量産で新法整備へ 投融資促進や研究開発支援

次世代半導体の国産化を目指すラピダスが建設中の工場＝5月、北海道千歳市

　政府が国産の次世代半導体の量産化に向け、投融資の拡大や研究開発支援などを盛り込んだ新法を整備する方針を固めたことが23日、分かった。経済安全保障の観点から先端技術の競争力強化を図る。北海道で工場を建設しているラピダスの支援が念頭にあり、岸田文雄首相が具体策を詰めるよう関係省庁に近く指示する。

　複数の政府関係者が明らかにした。次世代半導体の国産化を目指すラピダスは米IBMから技術供与を受け、回路線幅が2ナノメートル（ナノは10億分の1）相当の半導体生産技術の開発を進める。2027年の量産開始を見込み、5兆円規模の投資が必要だと言われているが、巨額の資金調達が課題となっている。

　経済産業省はこれまで研究開発などに総額9200億円の支援を決めている。

　経産省は5月、新たな支援の枠組みを今年後半にも設け、量産開始に必要な設備投資を推進する方針を発表した。ラピダスへの投融資を政府が保証するための法案を整備することも視野に入れていた。一民間企業に対する政府保証の制度作りは異例だ。