YES、複数のVeroThermギ酸還元リフローシステムをトップ半導体機器顧客に納品

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カリフォルニア州フリーモント, 2024年6月28日 /PRNewswire/ -- 先端半導体パッケージング用途向けのプロセス装置のリーディングメーカーであるYES（Yield Engineering Systems, Inc.）は、本日、VeroThermギ酸還元リフローシステム（FAR）の複数台を、トップクラスのロジックおよびメモリ顧客への納品を完了したことを発表しました。これらのシステムは、大規模言語モデル（LLM）アプリケーションによって駆動される高性能AIアクセラレータの成長を支え、必要とされるメモリおよびロジックチップの3Dスタッキングを実現するために使用されます。

VeroTherm FARシステムは、フラックスレスはんだおよびマスリフロー・プロセスを用いて、10ミクロン未満のマイクロバンプ構造を実現するためのソリューションを提供するよう設計されています。このシステムは、積層ロジックや高帯域幅メモリ（HBM）など、AIアクセラレータにおける先端パッケージングアーキテクチャの製造に不可欠であり、優れた品質と総保有コスト（CoO）の削減を実現します。

YES社のグローバルセールスSVP、Alex Chow氏は次のように述べています。「VeroThermは、柔軟にリフロー品質を向上させるユニークなシングルウェハーチャンバーデザインを提供し、バンプピッチが縮小する際の課題に対応します。YESは、30ミクロン未満のピッチでバンプの割れ欠陥が発生せず、12ミクロンまでのピッチでバンプの崩壊が観察されない優れたリフロー結果を実証しました。この独自の技術プロセスは、欠陥のないはんだリフローを実現し、高スループットと低CoOを達成しています。これにより、バンプベースのマスリフローテクノロジーを10ミクロン未満のピッチに拡張できるようになりました。」

また、これらの注文は、当社が複数の市場セグメントにサービスを提供する努力の検証であるため、YESにとって重要なマイルストーンとなります。」とChow氏は付け加えました。

YES社のドライビジネスユニットSVPおよびGM、Saket Chadda氏は、「当社のVerotherm FARウェハー製品ラインは、真空ベースのシングルウェハー処理を提供し、酸化物の除去と優れたバンプ形状にリフローする独自の能力を備えています。これにより、従来の大気圧システムに見られる欠陥を排除でき、SnAgの凝集欠陥と粗い表面を排除し、10ミクロン未満のピッチに拡張可能なインターメタリック化合物ゾーンを最小限に抑えることができます。」と語っています。