インフィニオン、世界初の300 mmパワーGaN技術を発表

業界のゲームチェンジャーに

インフィニオン、画期的な 300 mm GaN 技術により急成長する GaN 市場を形成

既存の大規模な 300 mm シリコン製造を活用し、GaN製造の資本効率を最大化

300 mm GaN は徐々にシリコンと同等のコストを達成するのに貢献

このリリースは、独インフィニオン テクノロジーズ社が9月11日付けで発表した資料の日本語訳です。原文 (英語版、ドイツ語版) は、インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。

ミュンヘン (ドイツ)、フィラッハ (オーストリア), 2024年9月12日 /PRNewswire/ -- インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は本日、世界初の 300 mm パワー窒 化ガリウム (GaN) ウエハー技術の開発に成功したことを発表しました。インフィニオンは、世界で 初めて、この画期的な技術を既存の拡張可能な大量製造環境で開発しました。この画期的な技術は、GaNベースのパワー半導体の市場を大きく牽引するものです。300 mm ウエハーでのチップ製造は、 ウエハー口径が大きくなることによってウエハー１枚あたり2.3倍のチップが製造できるため、200 mm ウエハーに比べて技術的に高度であり、効率も大幅に向上しています。

GaNベースのパワー半導体は、AIシステム用電源、太陽光インバーター、充電器やアダプター、モ ーター制御システムなど、産業用、車載用、コンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーシ ョン用のアプリケーションで急速に採用が進んでいます。最先端のGaN製造プロセスは、デバイス 性能の向上につながり、効率性能、小型化、軽量化、総コストの低減を可能にすることで、最終顧客 のアプリケーションに便益をもたらします。さらに、300mm製造によって、より安定的な供給が確 保されます

インフィニオンのCEO、ヨッヘン ハネベック (Jochen Hanebeck)は「この目覚しい成功は、インフ ィニオンの革新的な強み、および、GaN とパワーシステムにおけるイノベーショ ン リーダーとして の地位を実証するべくグローバルチームが献身的に取り組んだ結果です。この技術的ブレークスルー は、業界のゲームチェンジャーとなり、窒化ガリウムの可能性を最大限に引き出すことを可能にする でしょう。GaNシステムズ社の買収から約1年、当社は急成長するGaN市場を牽引する決意を再び 示したといえます。パワーシステムのリーダーとして、インフィニオンは、シリコン、炭化ケイ素 (SiC)、GaNという、関連する 3 つの素材すべてに精通しています」 と述べています。