三菱電機:パワー半導体「1200V SiC-SBD」を発売
MotorFan / 2019年4月8日 14時25分
三菱電機は、太陽光発電装置やEV用充電器などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiC(※1)を用いた1200V耐圧の「1200V SiC-SBD(※2)」5タイプを2019年6月にサンプル提供を開始し、2020年1月から順次発売する。
新製品の特長
1.SiCの採用で、低消費電力化・小型化に貢献
・SiCを用いることでSi(シリコン)と比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
・高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
2.JBS構造の採用により、高信頼性に寄与
・pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4構造を採用
・JBS構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
3.さまざまな用途に対応する5製品をラインアップ
・一般的なTO-247パッケージに加え、絶縁距離を拡大したTO-247-2パッケージの採用により民生品をはじめ産業などのさまざまな用途に対応
・AEC-Q101※5に準拠した製品(BD20120SJ)もラインアップし、車載用途にも対応
※1 Silicon Carbide:炭化ケイ素
※2 Schottky Barrier Diode:半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
※3 PFC回路を内蔵した当社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSiダイオードとの比較
※4 Junction Barrier Schottky
※5 Automotive Electronics Council:車載電子部品の品質規格
外部リンク
この記事に関連するニュース
-
Qorvo 750V、4mΩ SiC JFET (シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ)の新製品を発表
PR TIMES / 2024年9月20日 13時40分
-
【新刊案内】世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート 発行:(株)シーエムシー・リサーチ
PR TIMES / 2024年9月17日 10時45分
-
オンセミ、太陽光発電/ESS向けSi/SiCハイブリッドPIMを発表
マイナビニュース / 2024年9月9日 14時57分
-
オンセミ、太陽光発電とエネルギー貯蔵を強化する最新パワーモジュールを発表
PR TIMES / 2024年9月5日 13時40分
-
9月5日(木) AndTech WEBオンライン3か月連続オンライン学習講座「パワーデバイス入門講座」Zoomセミナー・復習用アーカイブ付き講座を開講予定
PR TIMES / 2024年8月29日 10時15分
ランキング
-
1ペーパードライバーの “迷惑運転行為”に、走行距離30万km超のゴールド免許所持者が怒りの告発
日刊SPA! / 2024年9月15日 15時52分
-
2ダウンタウン浜田雅功の“くちびる寿司”を食べてみた ユニークな見た目に笑ってしまう
オトナンサー / 2024年9月20日 23時10分
-
3東京都、018サポートで新たに134人への重複支給発覚 マイナ申請の照合設定に誤り
産経ニュース / 2024年9月20日 19時47分
-
4超一流パティシエも"満場一致"の大絶賛。「完璧」「これは本物」ローソンで食べるべき絶品スイーツとは。
東京バーゲンマニア / 2024年9月17日 18時46分
-
5メルカリで「マイナス評価」が1つでもあったら売れなくなる? 購入を敬遠される可能性も……
オールアバウト / 2024年9月20日 20時40分
記事ミッション中・・・
記事にリアクションする
記事ミッション中・・・
記事にリアクションする
エラーが発生しました
ページを再読み込みして
ください