レゾナック、仏SoitecとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約を締結

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レゾナックは9月24日、仏Soitecとパワー半導体向け8インチSiCエピタキシャルウェハ(SiCエピウェハ)の材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したことを発表した。

SiCパワー半導体は、シリコンパワー半導体と比べ、電力変換時の電力損失や熱の発生が抑えられること、ならびに大電力での利用が可能なことから再生可能エネルギー分野や電気自動車分野を中心に需要が高まりを見せている。しかし、原料となるSiC単結晶基板は、均一な結晶であることが求められることから、その生産には高度な技術が必要で、さらに結晶成長に時間を要することから生産性の向上も課題とされている。

そうした中、レゾナックはSiC単結晶基板にエピ層を成長させたSiCエピウェハの生産を行ってきており、8インチSiCエピウェハについてもサンプル出荷を行う段階まで到達している。一方のSoitecは、SOIウェハで培ったウェハ張り合わせ技術を応用する形でSiC単結晶基板の加工面をサポート基板となる多結晶SiCウェハに貼り合わせ、単結晶基板を薄膜分割することで、1枚のSiC単結晶基板から複数の高品質SiCウェハを生産する独自技術「SmartSiC」を有している。

今回の共同開発では、レゾナックがSoitecにSiC単結晶を供給。Soitecが、その単結晶SiCウェハを使って、SiC張り合わせ基板の製造を行うことを進め、両社ではこの共創を通じて、8インチSiCウェハの生産性向上を図り、SiCエピウェハビジネスでのサプライチェーンの多様化を目指すとしている。
（小林行雄）