onsemi、65nm BCDプロセスによるアナログ/ミクスドシグナルプラットフォーム「Treo」を発表

こういう背景の元、投入されたのがTreoということとなる。ベースとなるのはonsemiの65nm BCDプロセスで、1V～90Vの電圧範囲(65nm CMOS+90V耐圧のDMOS)と、最大175℃の動作温度をサポートしており、その上でモジュラ構造的に必要な機能を追加することが可能となっている(Photo07)。

例えばADAS用の超音波センサ向けのインタフェース(I/F)の構築例がこちら(Photo08)。従来製品に比べて精度を2倍以上改善する事が可能になったとする。

あるいは血糖値計向けのAFEの例がこちら(Photo09)で、さまざまな機能を1つのダイに集約できるためフットプリントの小型化(≒低価格化)が可能で、それでいながら省電力性も確保できるとする。

AI半導体向けのPoL電源コントローラの例がこちら(Photo10)で、モジュール構造であるがゆえに仕様決定からシリコンの製造まで6～9か月と短いのも大きな特徴である。

他にも、こんな具合(Photo11)にさまざまな製品を、モジュール構造で比較的容易に構築可能なのが特徴であり、今後も製品展開が予定されていることが説明された(Photo12)。

もっと極端な例がこちら(Photo13)。

FPGAを核にしたセンササブシステムを、FPGA以外を全部Treoを使ってASSP化することが可能、という事例である。コストに見合うかどうかは若干疑問(仕様を定めるのが大変そうだし、どれだけの数量が出るのかも関係する)ではあるが、onsemiの昨今の方向性を示したもの、と言えそうだ。

ちなみにこのTreoは、同社の米ニューヨーク州イーストフィッシュキルの300mm Fab、つまり2019年にGlobalfoundries(GF)からの買収することを発表し、2023年3月に買収が完了した同社の最新Fabで製造されるという(それまでは0.25μm BCDプロセスをオレゴン州グレシャム工場で製造、間に0.18μmのCMOS+DMOSプロセスがあるが、Bipolarが含まれていないためBCDではないとのこと)。
（大原雄介）