125℃動作のFRAM(強誘電体メモリ)では最大メモリ容量となる2Mビット品を開発

PR TIMES / 2019年10月8日 12時5分

～高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ～

富士通セミコンダクター株式会社は、125℃での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。

[画像1: https://prtimes.jp/i/48514/1/resize/d48514-1-165188-2.jpg ]

https://www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/memory/fram/>

　本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリです。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えません。したがって、エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適です。
[画像2: https://prtimes.jp/i/48514/1/resize/d48514-1-691232-1.jpg ]

　FRAMは、EEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性」、「高速書込み」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。これまでに約20年の量産実績をもち、近年はウェアラブルデバイス、産業用ロボット、そしてドローンへの採用実績もあります。

　本製品は、2Mビットのメモリ容量をもち、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。-40℃～+125℃の温度範囲において、EEPROMの約1,000万倍となる10兆回の書換え回数を保証しています。
[画像3: https://prtimes.jp/i/48514/1/resize/d48514-1-920857-3.jpg ]

動作周波数は、従来品の1.5倍となる最大50MHzに高速化されています。くわえて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。パッケージは、EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リード無しの8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)も揃えています。

　当社は、高いデータ書換え性能をもつFRAMをEEPROMの高性能互換メモリとしてカード、産業機器、および民生機器市場に供給してきました。その後、2017年に125℃動作のFRAMの量産を開始して以来、高温動作、高信頼性が必要とされる自動車分野や産業機械分野に対して、高温対応品の提供を拡大しており、今回の2Mビット品の開発に至ります。
　今後もお客様のアプリケーションの価値と利便性を向上させるために、FRAM技術を適用したプロダクトとソリューションを提供していきます。

主な仕様
・製品名： MB85RS2MTY
・容量（メモリ構成）： 2Mビット（256K x 8ビット）
・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数： 50MHz（最大）
・動作電源電圧： 1.8V～3.6V
・動作温度範囲： -40℃～＋125℃　　　　
・書込み/読出し保証回数： 10兆回（10の13乗回）
・パッケージ： 8ピンSOP, 8ピンDFN
・品質規格： AEC-Q100グレード１準拠

関連リンク
・富士通セミコンダクタートップページ:
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/index.html

・新製品紹介サイト:
https://www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/memory/fram/lineup/spi-125c-2m-mb85rs2mty.html

------------------------------------
富士通セミコンダクター株式会社
システムメモリカンパニーマーケティング統括部
電話: 045-755-7035（直通）
お問い合わせフォーム: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/contact/form/fram-inquiry.html

企業プレスリリース詳細へ
 PR TIMESトップへ