フリースケール、比類のないレベルで堅牢性、周波数範囲、ブロードバンド性能を組み合わせた新しいRFパワー・トランジスタを発表

PR TIMES / 2012年7月2日 11時38分

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ)は、幅広い周波数範囲にわたり耐反射性能と広帯域動作を実現するRFパワー・デバイスを求める市場ニーズに応えるべく、広範な用途に対応する2種のデバイスを発表しました。LDMOSプロセス技術を利用して製造したRFパワー製品において、新次元のリニアリティと堅牢性を実現します。

新しいデバイスは25Wの「MRFE6VS25N」と100Wの「MRFE6VP100H」で、どちらも全動作周波数範囲にわたり完全なCW定格出力を提供することが可能で、システム信頼性を大幅に増強しつつ、アンプ設計の複雑性とコストを低減します。

最新デバイスは、同種のアプリケーション向けに設計されたGaNベースのソリューションと比べてさまざまな利点があり、65:1以上のインピーダンス不整合(VSWR)に対応し、比類のないリニアリティを実現しつつ、デバイス・コストを大幅に削減します。この広帯域LDMOS FETは、信頼性が重要となる極めて過酷な条件下でも障害なく動作するよう設計されています。ターゲット・アプリケーションとしては、HF-UHFトランスミッタ/トランシーバ、テレビ用トランスミッタ、トランシーバ、航空宇宙/防衛システム、試験装置、レーダー・システムなどがあります。

フリースケールの副社長兼RFディビジョン担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「今回の新製品により、フリースケールのRFパワー・ポートフォリオは、ワイヤレス・インフラストラクチャの範囲を超えて、隣接する急成長市場に向かって拡張していきます。比類のない性能と堅牢性を備えた最新デバイスは、幅広いお客様とアプリケーションに受け入れられるでしょう。」

新デバイスは、フリースケールの低熱抵抗パッケージで提供されます。このパッケージは、内部の温度上昇を最小限に抑え、長期的な信頼性を高めつつ、温度管理問題を低減します。また、このデバイスは、幅広い動作条件にわたり回路の安定性を強化する内部ネットワークを内蔵しているため、外部回路が簡素化されます。最適な堅牢性を保証するため、フリースケールは、通常の動作環境をはるかに超えた条件の下でデバイスを試験しており、定格動作電圧の20%増の電圧、定格RF入力の2倍の入力、65:1のインピーダンス不整合(VSWR)で評価を行っています。

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