携帯型業務用無線機向け「シリコンRF高出力MOSFET」サンプル提供開始
PR TIMES / 2024年2月27日 16時45分
3.6V駆動で業界最高の出力電力6.5Wを実現し、無線機の送信距離伸長と低消費電力化に貢献
[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/120285/95/120285-95-39fc6cd325acaa30d39a7fad30910ebc-697x541.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
シリコンRF高出力MOSFET RD06LUS2
三菱電機株式会社は、携帯型業務用無線機(以下、業務用無線機)の電力増幅器の終段に搭載される高周波デバイスとして、3.6Vのリチウムイオン1セルバッテリー駆動(以下、3.6V駆動)で業界最高(※1)出力電力6.5Wを実現した、シリコンRF(※2)高出力MOSFET(※3)「RD06LUS2」のサンプル提供を2月28日から開始します。これにより、業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。
近年、スマートフォンを中心に3.6Vバッテリーの普及が進むなか、業務用無線機市場でも従来の7.2Vバッテリーよりも安価な3.6Vバッテリーで、7.2Vバッテリー同等の高出力が可能な無線機の開発が期待されています。一方、バッテリーの低電圧化により電力増幅器の出力が低下するため、スマートフォンに比べ高い出力を必要とする業務用無線機においては、3.6Vバッテリーでも高出力を実現できるMOSFETの開発が求められています。
今回、当社がサンプル提供を開始するシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」は、3.6V駆動用に最適化させた新型MOSFETチップの開発と、2個のMOSFETチップを内蔵した新パッケージにより、バッテリー電圧3.6Vにて、業界最高(※1)出力電力6.5Wと、業界トップクラス(※1)のドレイン効率(※4)65%を実現しました。これにより、3.6Vの業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。また、2個のMOSFETチップ内蔵の新パッケージにより、業務用無線機のプリント基板への実装面積の省スペース化と、組み立て時のコスト低減にも貢献します。
■新製品の特長
1.3.6V駆動で業界最高(※1)6.5W出力を実現、業務用無線機の送信距離伸長に貢献
・3.6V駆動用として内部構造の最適化によりオン抵抗を低減し、電力密度が向上した新型MOSFETチップを開発
・2個の新型MOSFETチップ内蔵の製品としたことで、当社従来製品(※5)比60%向上した業界最高(※1)の出力電力6.5Wを実現
・6.5Wの高出力化により、業務用無線機の送信距離を従来製品(※5)比で最大27%の伸長を実現
2.業界トップクラス(※1)のドレイン効率65%を実現し、業務用無線機の消費電力を低減
・MOSFETチップを3.6V駆動、出力電力6.5Wにすることにより、出力向上しつつも業界トップクラス(※1)のドレイン効率65%を実現
・ドレイン効率65%の実現により無線機の電力消費を低減し、稼働時間の延長に貢献
3.MOSFETチップ2個内蔵の新パッケージで、業務用無線機の実装面積の省スペース化、組み立てコスト低減に貢献
・2個の新型MOSFETチップ搭載の新パッケージにより、従来製品(※5)の2個使用と比べて、業務用無線機のプリント基板への実装面積比で33%の省スペース化を実現
・基板実装工法の1つである表面実装技術(SMT:Surface Mount Technology)に対応した新パッケージにより、チップマウンターを用いた自動実装が可能となり、業務用無線機の組み立て時のコスト低減に貢献
■今後の予定・その他関連製品の展開予定
本製品は2024年7月に発売予定です。
また、本製品のドライバー段として使用可能なシリコンRF高出力MOSFETデバイス「RD00LUS2」を2024年3月にサンプル提供を開始し、2024年8月に発売予定です。
加えて、業務用無線機開発のサポートツールとして、両製品を組み合わせた2段増幅器構成の製品評価用回路基板(EVB(※6))と、シミュレーション用のノンリニアモデルを2024年5月に提供開始予定です。
■製品仕様
[表: https://prtimes.jp/data/corp/120285/table/95_1_a5c5ec0536cc1c7057955f1457abc517.jpg ]
■環境への貢献
本製品はRoHS(※7)指令(2011/65/EU、(EU)2015/863)に準拠しています。
■製品担当
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
〒664-8641 兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地
<お客様からのお問い合わせ先>
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業部
〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/hf/contact/
■ウェブサイト
高周波デバイスウェブサイト
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/hf/
※1 2024年2月27日時点、当社調べ。電源電圧3.6V動作のVHF/UHF帯電力増幅器品において
※2 Radio Frequency:高周波
※3 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
※4 増幅器に供給された電力が高周波出力に変換される時の効率で、高いほど性能が優れる
※5 当社従来製品 4WシリコンRF MOSFET「RD04LUS2」
※6 Evaluation Board 製品評価用回路基板
※7 Restriction of Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
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