フリースケール、RFランド・モバイル市場向け製品ポートフォリオを拡充
PR TIMES / 2013年6月12日 12時51分
比類のない性能と業界をリードする堅牢性を実現するLDMOS/GaNパワー・トランジスタ製品が新たに加わったAirfast RFパワー・ソリューション
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ、以下 フリースケール)は、Airfast RFパワー・ソリューションのフラッグシップ・ファミリの最新製品として、3種のLDMOSパワー・トランジスタと1種のGaN(窒化ガリウム)トランジスタを発表しました。これらの新製品は、いずれも、ランド・モバイル(陸上移動無線)市場の要件を上回る高い破壊耐性を備えています。
新しいAirfast LDMOSパワー・トランジスタは、安定性、ゲイン、破壊耐性の魅力的な組み合わせを実現します。一方、新しいAirfast GaNデバイスは、マルチバンド・アプリケーションをターゲットとしており、大型かつ複雑でときには複数必要となる無線機器を不要にします。これらのソリューションが合わさることにより、ランド・モバイル・アプリケーション向けの先進的な設計を幅広く実現させます。
フリースケールの新しいLDMOSパワー・アンプ「AFT09MS007N」、「AFT09MP055N」、「AFT09MS015N」は、過酷な運用条件下においても安定して動作するよう設計されており、ランド・モバイル・アプリケーションにおいて比類のない性能、安定性、ゲインを実現します。これらのデバイスは、公共安全、業務用移動無線、その他の機械相互間の過酷な通信環境で用いられる移動通信VHF/UHF/700~900MHzトランシーバに理想的です。
この3種の新しいAirfast RF LDMOSパワー製品は、アンプやRFパワー・トランジスタを悩ます過電圧や過入力が同時にある場合でも、65:1以上のVSWRに対応できるよう設計されています。安定性の維持に必要とされる回路のほとんどが統合されているため、設計が簡素化され、幅広い動作環境の下で安定性を実現します。フリースケールのランド・モバイル市場向け最新LDMOS Airfast RFパワー製品には、包括的なリファレンス・デザインが用意されており、わずかな数のインダクタとキャパシタを揃えるだけで設計を完成させることができます。これにより、モジュールベースのソリューションと比べて、同様のサイズでより優れた効率性とリニアリティを実現します。また、Airfast RFパワー・デバイスは通常65%以上の効率性を達成可能で、この数字はモジュール製品や競合ディスクリート・デバイスを大幅に上回っています。
フリースケールの上席副社長兼RFディビジョン担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「これまで、マルチバンド・システムといえば、大型かつ複雑で設計費用が高く、開発を進める上で大きな課題がいくつもありました。フリースケールのAirfast RFパワー・ポートフォリオの最新製品により、ランド・モバイル・アプリケーション向けに比類のないブロードバンド性能が超小型サイズで実現します。」
通信士や公共安全に従事する関係者にとって、複数の相手と通信できる機能は、緊急時に組織的な活動を迅速かつ効率的に行う上で極めて重要です。フリースケールの新しいAirfast GaNデバイス「AFG30S010」のブロードバンド性能により、単一のパワー・アンプで多数のランド・モバイル・バンドをサポートすることが可能となります。これにより、多人数通信向けに大型かつ複雑で費用のかかるマルチバンド・システムを用意する必要がなくなります。優れた効率性と先進的な温度性能を実現するAFG30S010 GaNデバイスは、アンプのサイズ削減を可能とし、製品の小型化を求めるニーズに対応します。
製品の主な特長
新しいAirfast LDMOSデバイスは、携帯型無線アプリケーション向けには7.5V DC電源(標準)で、移動無線アプリケーション向けには12.5V DC電源で動作し、静電放電(ESD)保護機能を統合しています。Airfast GaNデバイスは、28V DC電源で動作します。
AFT09MS007N、AFT09MP055N、AFT09MS015N
・過電圧や過入力が同時にある場合でも、65:1以上のVSWRに対応可能
・最適化されたシステム信頼性により、メンテナンスコストを削減
・高いパワー・ゲインにより、ステージを減らしつつ、安定性を向上
・優れた効率性により、冷却システムを簡素化し、無線を小型化
AFG30S010
・136~941MHz周波数帯域全体にわたり10W
・過電圧や過入力が同時にある場合でも、20:1以上のVSWRに対応可能
・改善されたシステム信頼性により、メンテナンスコストを抑制
・複雑な保護回路を不要にし、全体的なシステム・コストを削減
・幅広い周波数範囲で優れた効率性を実現
供給
AFT09MS007N 7WデバイスとAFT09MP055N 55Wデバイスは、2013年第2四半期に量産出荷を開始する予定です。AFT09MS015N 15WデバイスとAFG30S010デバイスは、2013年第4四半期にサンプル出荷を開始する予定です。リファレンス・デザインをはじめとした各種サポート・ツールも利用可能です。詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお尋ねください。また、www.freescale.com/RFpowerのWebサイトもご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、先進の自動車、民生、産業、およびネットワーク市場において、業界を牽引する製品を提供する組込みプロセッシング・ソリューションの世界的リーダーです。マイクロプロセッサ、およびマイクロコントローラ、センサ、アナログ製品やコネクティビティといった私たちの技術は、世界中の環境、安全、健康を向上させ、そしてそれらをよりつなげるイノベーションの基盤となります。また、オートモーティブ・セーフティ、ハイブリッドや電気自動車、次世代のワイヤレス・インフラストラクチャ、スマートエナジー、ポータブル医療機器、家電やスマート・モバイル製品といったアプリケーション向けの製品を提供しています。フリースケールは、テキサス州オースチンを本拠地に、世界各国で半導体のデザイン、研究開発、製造ならびに営業活動を行っています。詳細は、http://www.freescale.com/jaをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマーク、およびFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれ各社の商標です。
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