フリースケール、単一デバイスで700～2700MHz帯域をサポートする新しいAirfast RFパワーLDMOSトランジスタを発表

PR TIMES / 2013年12月19日 13時44分

業界で初めてとなるセルラー・バンドすべてに対応しかつ20～24dBのゲインを実現する小型のAFT27S006N/AFT27S010N RFトランジスタ

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ、以下フリースケール)は、主要なセルラー周波数帯すべてに対応しかつ業界最高クラスのゲインを小型パッケージで実現する2種の新しいAirfast（エア・ファスト）RFパワー・ソリューションを発表しました。6Wのピーク出力を実現する「AFT27S006N」は、これまで業界の牽引役として世界各地のトップクラスのワイヤレス基地局で広く導入されてきたMW6S004Nの後継となる次世代製品です。このファミリには、10Wのピーク出力を実現する高出力の「AFT27S010N」も用意されています。

どちらのデバイスも、比類のない周波数範囲（700～2700MHz）とシングルステージ・ゲイン（20～24dB）を超小型パッケージ（PLD-1.5W）で実現するため、平均出力最大40Wのマクロ基地局MIMOアプリケーション等に最適です。競合ソリューションでこのセルラー周波数帯をサポートするには、複数のRFデバイスが必要となりますが、AFT27S006N/AFT27S010Nの場合、単一のパワー・アンプで全範囲がサポートされます。

ABI Researchのリサーチ・ディレクターであるLance Wilson氏は、次のように述べています。「フリースケールのAirfastデバイス・ポートフォリオに新しい製品が追加されたことは、ワイヤレス基地局向けに最新のパワー・アンプ設計をもたらすフリースケールの相乗効果アプローチを継続するものです。また、最新デバイスは、優れた性能、使いやすさ、小型性を兼ね備えています。」

Airfastテクノロジ・プラットフォームを使用することにより、広帯域特性と共に高いゲインを維持しかつ、使いやすさや柔軟性といったさまざまなニーズに幅広く対応できます。新しいトランジスタは、広い周波数範囲をカバーしており、他の幅広いRFアプリケーションを対象にした汎用ドライバ・デバイスとしても利用できます。

フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「新トランジスタの導入により、フリースケールは、最高クラスのRFデバイスのレベルをさらに引き上げます。先進的なLDMOSプロセス技術を活用したフリースケールの新しいAirfastデバイスは、小型化を実現しつつ、主要なセルラー周波数帯すべてに対応します。」

Airfast RFパワー・ソリューションについて
Airfast RFパワー・ソリューションは、効率性やピーク出力、信号帯域幅の向上を求めるニーズを満たしつつ、コスト削減という絶え間ないプレッシャーにも対応します。比類のない性能とエネルギー効率を備えており、LDMOS、GaAs、GaNといったフリースケールの広範なRF技術の一翼を担います。詳細については、www.freescale.com/RFpowerのWebサイトをご覧ください。

価格と供給
AFT27S006N（6W）とAFT27S010N（10W）は、現在出荷中です。価格やサンプルの詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお尋ねください。フリースケールのRFパワーLDMOSソリューションの詳細については、www.freescale.com/RFpowerのWebサイトをご覧ください。

フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、先進の自動車、民生、産業、およびネットワーク市場において、業界を牽引する製品を提供する組込みプロセッシング・ソリューションの世界的リーダーです。マイクロプロセッサ、およびマイクロコントローラ、センサ、アナログ製品やコネクティビティといった私たちの技術は、世界中の環境、安全、健康を向上させ、そしてそれらをよりつなげるイノベーションの基盤となります。また、オートモーティブ・セーフティ、ハイブリッドや電気自動車、次世代のワイヤレス・インフラストラクチャ、スマートエナジー、ポータブル医療機器、家電やスマート・モバイル製品といったアプリケーション向けの製品を提供しています。フリースケールは、テキサス州オースチンを本拠地に、世界各国で半導体のデザイン、研究開発、製造ならびに営業活動を行っています。詳細は、http://www.freescale.com/jaをご覧ください。

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