平成24年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において科学技術賞(開発部門)を受賞

PR TIMES / 2012年4月10日 14時23分



パナソニック株式会社では、「圧電薄膜を用いた圧電MEMS[1] デバイスの開発」で5名が平成24年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰[2] 科学技術賞(開発部門)を受賞しました。

【受賞内容】
■テ―マ:圧電薄膜を用いた圧電MEMSデバイスの開発

■受賞者:
藤井映志(ふじい えいじ)
パナソニック株式会社 先端技術研究所 クリーンエネルギー推進室 室長
 
野村幸治(のむら こうじ)
元 パナソニック エレクトロニックデバイス株式会社 回路部品ビジネスユニット 参事

渡邊 修(わたなべ おさむ)
パナソニック プレシジョンデバイス株式会社 インクジェットソリューションディビジョン チームリーダー

小牧一樹(こまき かずき)
パナソニック株式会社 デバイス社 MEMS技術開発センター チームリーダー

山本幸二(やまもと こうじ)
パナソニック株式会社 デバイス社 回路部品ビジネスユニット グループマネージャー

■開発内容:
高性能なチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を、シリコン基板上に形成することに成功し、小形、高性能の角速度センサとして、さらに、高画質・高速印刷が可能なインクジェット薄膜ヘッドとして製品化したことが評価されました。角速度センサはカーナビゲーションシステム、自動車の車両制御、デジタルカメラの手ぶれ防止の用途でトップシェアを得ています。インクジェット薄膜ヘッドは商業用高速オンデマンド印刷機に搭載されています。

【開発内容の詳細】
(1) 開発の背景
代表的な圧電材料のチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)は、MEMS技術との融合により、小型化や新機能が期待出来るため、安価で加工性の良いシリコン基板上への薄膜化に強い要望がありました。しかしながら、高性能なチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)圧電薄膜は、高価で加工が難しい酸化マグネシウム(MgO)単結晶基板上でなければ、薄膜を形成することは困難とされていました。

(2) 開発技術の内容
本開発では、新規に下部電極材料と配向制御層の導入により、量産性に優れたスパッタ法で、シリコン基板上への高性能なチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)圧電薄膜を実現しました。さらにMEMS技術と融合させ圧電MEMSデバイスの開発に成功しました。

(3) 開発技術の成果
本開発により、小形、高精度の角速度センサや高画質・高速印刷が可能なインクジェット薄膜ヘッド等の圧電MEMSデバイスを世界で初めて実現し、実用化しました。
本成果は、角速度センサについては、デジタルカメラの手振れ補正用、カーナビ用、自動車の車両安全制御用として搭載され、利便性や安全性の向上に寄与しています。またインクジェット薄膜ヘッドについては、商業用オンデマンド印刷機に搭載され、社会への新たな利便性の提供に寄与しています。

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