業界をさらにリードする高効率電力制御用パワーMOSFETを発表

PR TIMES / 2012年1月23日 10時50分



最先端スーパー・ジャンクション技術 MDmesh(TM) Vを採用した
パワーMOSFETの新製品が画期的な記録を達成し、
より高効率なコンスーマ機器 / 太陽光発電システム用コンバータを実現
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、業界
最高クラスの性能を有する高耐圧パワーMOSFETであるMDmesh Vファミリの新製品が、
画期的な記録を達成したことを発表しました。この新製品は、定格650Vにおいて
最高の電力効率と電力密度を発揮するため、面積当りのオン抵抗を低下させ、
電力効率に関する主要測定基準値を23%以上向上させました。これは、照明用
調光器、コンスーマ機器用電源、太陽光発電システム用コンバータ等の電力変換
回路において、放熱により失われるエネルギーを節約する上で大きな飛躍です。

STのパワー・トランジスタ事業部マーケティング・ディレクターである
Maurizio Giudiceは、次の様にコメントしています。「MDmesh Vは、十分な実績
のあるSTのマルチ・ドレイン・メッシュ技術を積み重ねてきたものです。この
新記録により、STはスーパー・ジャンクションMOSFETに関する主導的地位を
さらに拡充します。性能の向上により、顧客はアプリケーションの消費電力を
低減することが可能になります。これは、革新的な製品を設計・開発することに
よって、卓越した性能を提供すると同時に、環境に配慮した製品を提供するという
STの取組みを実証しています。」

MDmesh V技術を採用したパワーMOSFETであるSTW88N65M5(650V耐圧)を標準
TO-247パッケージに実装した場合、オン抵抗は業界最小の0.029Ωです。これは、
MDmesh V技術を採用した従来製品の業界ベンチマークである0.038Ωより向上し
ています。したがって、最終アプリケーションの設計者は、オン抵抗が大きな
パワーMOSFETの置き換えによる高効率化や、使用部品点数の削減による組立て
サイズの小型化および部材コストの低減が可能になります。

STW88N65M5を含むMDmesh V製品の定格耐圧は650Vで、競合製品の定格耐圧600V
よりも大きな安全マージンを設けており、AC電源ラインの電圧サージに対する
パワーMOSFETの耐性が向上します。

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