オンセミ、シリコンカーバイドJFET技術の買収でAIデータセンター向けパワー製品ポートフォリオを強化

Qorvo社のSiC JFET事業と子会社United Silicon Carbideの買収でオンセミの市場機会は5年以内に13億ドル拡大の見込み



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オンセミ（onsemi、本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、Qorvo社から子会社のUnited Silicon Carbideを含むSiC JFET（シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ）技術の事業を、1億1500万米ドルの現金で買収する契約を締結したことを発表しました。この買収は、オンセミの広範なEliteSiCパワー製品ポートフォリオを補完し、AIデータセンター向け電源ユニットのAC-DCステージでの高いエネルギー効率と電力密度に対するニーズに応えることができます。さらに、EVバッテリディスコネクトやソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）などの新しい市場へのオンセミの取り組みを加速させます。


SiC JFETは、チップ面積当たりのオン抵抗が最も小さく、使用面積は他の技術の半分以下です。また、何十年にわたってシリコンベースのトランジスタに利用されてきた、一般的な市販のドライバを使用することもできます。このような利点が、より迅速な開発、消費エネルギーの低減、システムコストの削減を実現し、電源設計者やデータセンター事業者に大きな価値をもたらします。


オンセミでパワーソリューションズ・グループのグループ・プレジデントを務めるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「AIのワークロードが複雑化し、エネルギー消費が増加するのに伴い、高いエネルギー効率で高電圧に対応できる、信頼性の高いSiC JFETの重要性は一段と高まるでしょう。Qorvoの業界をリードするSiC JFET技術が加わることで、オンセミのインテリジェントパワーのポートフォリオは、エネルギー消費の最適化と、電力密度の向上を実現する、新たなソリューションを提供します」


この買収は慣習的な成立条件を満たした後、2025年第1四半期に完了する見込みです。


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オンセミ（onsemi）について
オンセミ（Nasdaq: ON）は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。当社は、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネルギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジーを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を実現する方法をリードしています。オンセミは Fortune 500(R) 企業として認められ、またNasdaq-100 Index(R)とS&P 500(R)インデックスに含まれています。オンセミの詳細については、https://www.onsemi.jp をご覧ください。

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