急成長中のエコ設計規格や環境エネルギーに対応する先進的なパワーMOSFETを発表

PR TIMES / 2012年9月7日 10時10分



~初の900V・950V耐圧のSuperMESH(TM) 5 パワーMOSFETが
900Vで業界最高効率を達成し、950Vでアプリケーションの信頼性を高める
最大電圧定格を実現~

エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、高品
質かつ高効率の新しいパワーMOSFETファミリを発表しました。同製品ファミリは、
エコ設計規格に定められたより厳しい消費電力・電力効率の基準に対応し、
太陽光発電用のマイクロインバータやストリング・インバータ、電気自動車
といった環境エネルギー・アプリケーションに適しています。

この新製品ファミリには、最大電圧定格が950Vである業界初のスーパー・
ジャンクション型トランジスタ(MOSFET)、クラス最高の電力効率を実現する
900V耐圧製品、および省スペースの超薄型パッケージ(PowerFLAT 8x8 HV)で
提供される唯一の850V耐圧製品が含まれています。スーパー・ジャンクション
技術により、製品サイズに起因する極めて小さな電気的オン抵抗でMOSFETの
動作電圧を高め、電源全体を小型化しながらシステムの信頼性と電力効率を向上
させることができます。

STはスーパー・ジャンクション型MOSFETの主要サプライヤで、市場最高の定格電
圧を持つ製品や、900V耐圧のスーパー・ジャンクション型製品を提供しています。
今後、800V耐圧の製品も追加する予定です。

より環境に優しい世界をつくるスーパー・ジャンクション技術
STは、SuperMESH 5製品の高い効率を例証するため、超高電圧MOSFETが採用され
たアプリケーションの最初の成功例を紹介しました。イタリアの革新的な照明
メーカーであるTCI社( http://www.tcisaronno.net )は、同社の先進的かつ
多機能なLEDランプの最新LEDドライバのメイン・パワー・スイッチとして
STU6N95K5 (950V耐圧、IPAKパッケージ)を採用しており、優れたコスト効率お
よび小型サイズでベンチマークとなる電力効率を実現しています。STのパワー・
トランジスタ事業部 マーケティング・ディレクタであるMaurizio Giudiceは、
次の様にコメントしています。「STの最新世代のSuperMESH 5技術により、TCIは
市場最高の効率と安全マージンを達成でき、同社の顧客に魅力的な価値を提案
することができます。」

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