最先端のクロル工場で28nm FD-SOI技術の製造体制を構築

PR TIMES / 2012年12月13日 11時15分

~ シリコン上で検証済みのプロセス技術が、30%の高速化と最大50%の低消費電力化を実現 ~

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロ
エレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、28nm FD-SOI技術プラットフォーム
の量産化へ向けたステップとして、クロル工場(フランス)の300mm製造設備を
利用し先行量産を開始したことを発表しました。本発表は、28nm以降で
プレーナ型の完全空乏技術を提供するSTの能力を裏付けるものです。この技術は、
最高性能・最小電力が求められるマルチメディア機器・携帯型機器向け組込み
プロセッサに欠かせず、バッテリ寿命を損なうことなく、美しいグラフィックや
マルチメディア、高速ブロードバンド接続を実現します。

本発表は、FD-SOI Consortiumが主催する完全空乏型シリコン・オン・
インシュレータ(FD-SOI)技術のワークショップ(サンフランシスコ)と同時に
行われました。

FD-SOI技術プラットフォームでは、充実した機能を持ち、シリコン上で検証済み
の設計プラットフォームが使用でき、基礎ライブラリ(標準セル、メモリ・
ジェネレータ、I/O、AMS IP、高速インタフェース)一式や、電力効率の高い
高速機器の開発に最適な設計フローが含まれています。

STのFD-SOI技術は、従来技術よりも格段に低い消費電力で、性能の向上を可能に
するST-エリクソンの次世代モバイル・プラットフォームに採用されています。

STのエグゼクティブ・バイスプレジデント、デジタル部門ジェネラル・
マネージャ 兼 最高製造・技術責任者であるJean-Marc Cheryは、次の様に
コメントしています。「STには、製品と技術の両方で新しいソリューションを
開発してきた長い歴史があります。FD-SOI技術の製造体制を整えることで、STは
再び半導体技術の開発・製造におけるイノベータかつリーダーになろうとして
います。プロセス後のウェハ・テストでは、従来の技術よりも性能・電力面で
優れているFD-SOIにより、費用対効果の高いソリューションを28nm以降で実現
できることが証明されました。また、最大動作周波数が2.5Ghz超で、供給電圧が
0.6V時でも800MHzで動作するST-エリクソンのNovaThor ModApプラットフォーム
(のマルチコア・サブシステムにおける評価結果が期待通りであることを
裏付けた他、非常に柔軟性の高い技術と、DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling、
動的な電圧・周波数制御)を介して利用可能な拡張された電圧範囲が確認されました。」

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