28nm FD-SOI技術で動作速度3GHzを達成

PR TIMES / 2013年2月28日 10時24分

~高速・シンプル・低発熱を実証~

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーの
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、28nm FD-SOI技術
プラットフォームのテストにおける新たな成果を発表しました。昨年12月の
同技術を用いたシステム・オン・チップ(SoC)の製造成功に続いて、STの
クロル工場(フランス)で製造されたアプリケーション・プロセッサが3GHzで
動作し、一定の動作周波数における電力効率がその他の技術よりも優れている
ことを発表しました。

本発表は、その他機関によるFD-SOI技術に関する最近の発表に続いて行われ
ました。半導体業界は、過去50年間、集積回路上のトランジスタ数を約2年毎に
倍増させるムーアの法則に従い、事実上の小型オン/オフ・スイッチである
トランジスタのサイズを縮小してきました。小型化に伴う高密度化は、より多く
の魅力的な性能を、期待どおりに低コストで提供してきました。同時に、これら
の性能は、携帯電話等において、キーパッドやタッチパッド、今では音声による
コマンド入力に瞬時に反応することができる動作クロック速度を実現します。

現在、ナノ・スケールのトランジスタは、毛髪(1)の直径に約450個が収まる
まで微細化され、バルク・シリコン・ウェハ上に形成される高速かつ低消費電力
なプレーナ型CMOS技術は、物理的な課題に直面しています。FD-SOI技術は電子
回路の小型化に向けた画期的躍進です。アプリケーション・プロセッサで動作
速度3GHzを達成したことは、携帯型機器、デジタル・カメラ、ゲーム、および
幅広いアプリケーション向けのASICにFD-SOIを採用するきっかけとなります。
次世代プロセスに関する各種技術の中で、FD-SOIは、最高性能・最小消費電力を
求める業界ニーズに対応し、バッテリ寿命を損なうことなく卓越した
グラフィックやマルチメディアを提供する性能を実証しています。

STのエグゼクティブ・バイスプレジデント、最高製造・技術責任者 兼 デジタル
部門ジェネラル・マネージャであるJean-Marc Cheryは、次の様にコメントして
います。「FD-SOIは、予測どおり、高速・シンプル・低発熱で、当社は、3GHzの
動作速度の達成を期待していました。設計アプローチは、バルクCMOSに対する
手法や完全空乏型チャネルおよびバック・バイアスのメリットと一貫性があり、
低消費電力性に関しても当社の期待どおりです。」

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