モバイル環境でのストレスに対応する先進的なMEMS加速度センサを発表

PR TIMES / 2013年12月13日 10時30分

革新的な設計が、センサの熱的・機械的安定性を高め、超小型フットプリントで優れた堅牢性と高性能を実現



多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーで、コンスーマ・
携帯型機器用MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)の大手サプライヤ(1)
であるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最新のスマートフ
ォンやその他の携帯型機器内のますます厳しい環境に対応可能な最先端の
高性能MEMS加速度センサを発表しました。

今日の携帯型機器は、高い処理能力を要するモバイル・アプリや超薄型設計に
より、温度変化や曲げ応力に対してより脆弱になっています。傾斜計、
ジェスチャ認識、ゲーム、カメラの人工水平線、屋内ナビゲーション、拡張現実
などの機能を搭載するため、顧客各社は、今まで以上の正確性、安定性、および
応答性を備えたモーション検知機能を有する携帯型機器の提供に力を入れて
います。こうした中、STの新しい3軸加速度センサLIS2HH12は、革新的な
機械構造と信号処理回路を採用しており、薄型化が進む携帯型機器の厳しい
熱環境下において、一貫して安定した高い性能を実現します。

STのエグゼクティブ・バイスプレジデント 兼 アナログ・MEMS・センサ・
グループ ジェネラル・マネージャであるBenedetto Vignaは、次の様にコメント
しています。「当社の新しい加速度センサの革新的アーキテクチャは、MEMS製品
の設計を大きく前進させます。この次世代製品は、先進的なモーション・
センシングにおいて、より高いパフォーマンスと安定性を追求する携帯型機器
メーカーのニーズに応えます。」

LIS2HH12は、超小型パッケージ(2 x 2 x 1mm)で提供されるため、携帯型機器
の基板レイアウト・ルールに今まで以上に柔軟に対応でき、機器全体の小型化に
貢献します。この加速度センサは、選択可能な検出範囲(±2、±4、±8 g)、
16bitのデジタル出力、内蔵温度センサ、業界標準インタフェース(I2C、SPI)、
広範な電源電圧(1.71V~3.6V)、プログラマブル割り込み発生器(2個)など、
システム設計を最適化する機能を搭載しています。LIS2HH12の、温度に対する
ゼロgレベルの変化は±0.25mg/C(標準値)であり、従来品と比べ、安定性が
2倍に改善されています。さらに、曲げによって標準オフセット精度±30mgを
逸脱する不良は、既存ソリューションよりも25%改善されています。

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