LetiとST、FD-SOI技術を採用し、超広電圧範囲に対応した10倍高速のDSPのデモを実施

PR TIMES / 2014年2月21日 10時34分

ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)2014で紹介

CEA-LetiとSTマイクロエレクトロニクス(NYSE: STM、以下ST)は、UTBB
(ultra-thin body buried-oxide)を特徴とする28nm FD-SOI(完全空乏型
シリコン・オン・インシュレータ)技術を採用した超広電圧範囲(UWVR:
ultra-wide-voltage range)のデジタル・シグナル・プロセッサ(DSP)のデモ
に成功したことを発表しました。

STの28nm UTBB FD-SOI技術をベースとするこのDSPは、ボディ・バイアス電圧
範囲0V~+2Vに対応し、最小動作電圧を低下させ、400mV時に460MHzのクロック
周波数で動作します。

このデモは、複数の設計手法を組み合わせることで、UWVRと高い電力効率、
さらに電圧に対する動作周波数において卓越したレベルの効率を実現しています。
STとLetiは、0.275V~1.2Vの電圧範囲においてスタンダード・セル・ライブラリ
の開発・最適化を行いました。これらは、電力・性能特性の利点を活かした、
理想的な実装を実現します。最適化されたセルの中では、低電圧での変動許容
範囲に対応する高速パルス・トリガ・フリップフロップがあります。

さらに、オンチップ・タイミング・マージン・モニタが、供給電圧値、ボディ・
バイアス電圧値、温度、製造プロセスとは関係なく、クロック周波数を最大動作
周波数の数パーセントに動的に調整します。その結果、0.4V時でも、10倍という
最先端の動作周波数が可能になります。

STの設計実現化&サービス担当エグゼクティブ・バイスプレジデントである
Philippe Magarshackは、次の様にコメントしています。「UTBB FD-SOI技術は、
高速、低発熱、シンプルさを特徴とするSTのソリューションです。この技術に
より、高性能化と低消費電力化が飛躍的に向上する一方、既存の設計と製造手法
への調整は最小限に抑えられます。今回デモに成功したDSPは、FD-SOIが、
最終的には10nmノードまでのさらに高効率な半導体を使用し、バッテリ駆動機器
やポータブル機器を新たなレベルに引き上げることを示しています。」

Letiの設計・エンベデッドシステムプラットフォーム担当バイスプレジデントで
あるThierry Colletteは、次の様にコメントしています。「イノベーションと産業を
結ぶLetiの能力は、技術に内在する力と性能メリットの活用に向けた高度な設計手法
の開発、そしてIoT(Internet-of-Things)製品に適合する専用コンポーネントの設計
において、非常に重要なことでした。」

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