長寿命化と低消費電力化を実現した先進的な1200V耐圧IGBTを発表

PR TIMES / 2014年6月17日 9時29分

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、第2世代トレンチゲート・フィールドストップ高速技術を採用した1200V耐圧 IGBTであるHシリーズを発表しました。同製品は、太陽光発電システム用インバータ、溶接機、無停電電源、力率改善（PFC）コンバータ等のアプリケーションにおいて、電力効率と堅牢性を大幅に向上させます。

STの新しい1200V耐圧 IGBTであるHシリーズは、ターンオフ損失を最大15%、ターンオン損失を最大30%低減しています。2.1V（標準値：定格コレクタ電流、100℃時）にまで低下した飽和電圧（Vce（sat））が、高周波動作時（スイッチング周波数：20kHz以上）の電力損失を最小化します。

また、Hシリーズは、ハードスイッチング回路での性能最適化に向けた、逆並列高速ダイオード内蔵のオプションを提供すると共に、フリーホイール・ダイオードを使用する回路での電力損失を最小化します。

新しいHシリーズは、優れた堅牢性を特徴としているため、定格電流の最大4倍の電流が流れた場合でもラッチアップ動作を起こさず、最小短絡時間は5μs（接合部温度150℃時）です。接合部動作温度が最大175℃にまで引き上げられたため、製品寿命が長くなり、システム冷却機構も簡略化されます。また、安全動作領域（Safe Operating Area）が広いため、高電力損失が避けられないアプリケーションでの信頼性が大幅に向上します。

さらにHシリーズは、スイッチング動作時の波形がほぼ理想的であるため、競合する高周波数製品を上回る卓越したEMI（電磁干渉）特性を実現しています。その他、Vce（sat）の正温度係数に関し、製品間のパラメータ分布のばらつきが非常に小さいため、高容量アプリケーションで並列動作させる場合も安全です。

STのHシリーズ（15A、25A、40A）は現在量産中で、TO-247パッケージで提供されます。単価は1000個購入時に約2.18ドルです。

詳細については、http://www.st.com/web/jp/catalog/sense_power/FM100/CL826 をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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