「完璧な」スイッチング性能に迫る新しいパワーMOSFETを発表
PR TIMES / 2015年8月28日 9時46分
[画像: http://prtimes.jp/i/1337/630/resize/d1337-630-437160-1.jpg ]
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、Nチャネル パワーMOSFETのMDmesh(TM) M2シリーズを拡張する新製品ファミリ MDmesh M2 EPを発表しました。同製品ファミリは、特にサーバ、ノートPC、通信機器、コンスーマ機器などの電源の軽負荷時において業界最高の電力効率を実現します。設計者は、同製品ファミリを採用することで、厳しさを増す電力効率に関する要件への適合が簡略化されると共に、スイッチング電力変換ソリューションの軽量化・小型化が可能になります。
MDmesh M2 EPファミリ(600V耐圧)は、STの実績のあるストリップ・レイアウトに、新しく改善された垂直構造と最適な拡散プロセスを組み合わせていることで、非常に低いオン抵抗値と最も少ないターンオフ・スイッチング損失を特徴としており、理想に近いスイッチングを実現します。また、高周波コンバータ(f> 150 kHz)に合わせて設計されているため、最も要求の厳しい電源ユニットに最適です。
MDmesh M2 EPは、軽負荷時における極めて低いスイッチング損失を特徴としており、ハード・スイッチングとソフト・スイッチング(LLCなどの共振トポロジを含む)の両トポロジにとって理想的です。また、MDmesh M2のその他の製品と同様にゲート電荷(Qg)が非常に低く、ターンオフ電力(Eoff)を20%低減しています。これにより、ハードスイッチング・コンバータでのターンオフ・スイッチング損失も20%低減されます。規格認証において、軽負荷時の電力効率の要求が厳しさを増す中、こうした低い電流範囲でのターンオフ電力の削減が軽負荷時の電力効率を向上させます。
ターンオフ時の波形の改善が、共振コンバータにおける電力効率の向上とノイズの削減につながり、サイクル毎の電力の熱放散よりも多くの電力の蓄積および再利用を可能にします。
MDmesh M2 EPの特徴
・極めて低いゲート電荷(最小16 nC)
・軽負荷条件に合わせて最適化された容量プロファイル
・ソフトスイッチング用に最適化されたVthとRg
・ボディ・ダイオードの堅牢性
最高の電力効率を要する電源システム向けのMDmesh M2 EPは、幅広いパッケージ(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247)で提供されます。現在、全品種が量産中で、STD15N60M2-EP(DPAKパッケージ)の単価は、1000個購入時に約1.5ドルです。
詳細については、 http://www.st.com/mdmeshm2 をご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください。
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STマイクロエレクトロニクス(株)
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