BASF、高性能PPAで次世代IGBT半導体向けにエネルギー節約、出力と効率を向上

BASF、高性能 PPA で次世代 IGBT 半導体向けにエネルギー節約、出力と効率を向上

Ultramid® Advanced N3U41 G6、IGBT の耐久性、長期性能、信頼性を強化
セミクロンダンフォス、BASF の PPA を太陽光発電および風力発電システム用インバータの Semitrans 10 IGBT の樹脂ハウジングに採用
BASF、Fakuma2024※に出展



BASF（本社：ドイツ　ルートヴィッヒスハーフェン）のパフォーマンスマテリアル事業本部は、次世代パワーエレクトロニクス向けに、IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）半導体のハウジング製造に最適なポリフタルアミド（PPA）を開発しました。Ultramid® Advanced N3U41 G6は、電気自動車、高速鉄道、スマート製造、再生可能エネルギーの発電などに向けて、高性能で信頼性のある電子部品の需要拡大に対応しています。パワーエレクトロニクスのグローバル技術リーダーであるセミクロンダンフォス（Semikron Danfoss）は、太陽光発電および風力発電システムのインバータに組み込むSemitrans 10 IGBTの樹脂ハウジングにBASFのPPAを採用しています。Ultramid® Advanced Nグレードは、優れた化学耐性と寸法安定性により、IGBTの耐久性、長期性能、信頼性を強化し、エネルギー節約、より高い電力密度、効率向上のニーズに応えます。IGBTは、パワーエレクトロニクスにおいて、電気回路の効率的なスイッチングと制御を実現します。



[画像1]https://digitalpr.jp/simg/2738/97425/500_361_2024102212523367172181dd8e4.jpg

セミクロンダンフォスは現在、太陽光発電および風力エネルギーシステムのインバーターに搭載されるSemitrans 10 IGBTのハウジングとして、BASFのPPA Ultramid® Advanced N3U41 G6を使用。



セミクロンダンフォスの研究・開発担当のヤン・グロースマン氏は次のように話しています。

「IGBTは、特に再生可能エネルギー分野では、現代のエレクトロニクスにおける重要な要素であり、高温環境下でも長期的な安定性と性能を維持する必要があります。Semitrans 10は、BASFのPPAの独自の特性を生かし、性能と効率の新しいベンチマークを打ち立てました。この材料を選んだ理由は、過酷な環境でも優れた電気絶縁性を持ち、組立工程での短期的な温度ピークにも優れた耐久性を発揮するためです。」高性能材料とスマートな設計の組み合わせにより、より高速なスイッチング、低い導電損失、優れた熱管理が可能となり、パワーエレクトロニクスの重要なニーズに応えます。