Samsungが微細化・3D ICのロードマップ最新版を発表、米国フォーラムで公開

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Samsung Electronicsは6月13日から14日にかけて、米カリフォルニア州サンノゼにある同社デバイスソリューション(DS)事業部門の米国本社で「Samsung Foundry Forum (SFF)＆Samsung Foundry Advanced Ecosystem (SAFE) Forum 2024」を開催した。

同フォーラムにて同社は「AI革命の推進」をテーマに、2つの新しい最先端技術ノード(2nm第5世代に相当する改良版となるSF2Zと4nm第5世代に相当する改良版となるSF4U)と、ファウンドリ、メモリ、アドバンストパッケージ(AVP)事業の独自の強みを生かした統合型AIソリューションプラットフォームを含む、新たなプロセス技術ロードマップを発表した。

Samsung Foundryの事業責任者(プレジデント)であるチェ・シヨン氏は、SFFの基調講演で、「AIをめぐって数多くの技術が進化している現在、その実装の鍵となるのは高性能で低消費電力の半導体である。AIチップ向けに最適化された実績のあるGAAプロセスに加え、高速で低消費電力のデータ処理を実現する統合型コパッケージ オプティクス(CPO)技術を導入し、この変革の時代に成功するために必要なワンストップAIソリューションを顧客に提供していく予定である」と述べている。

このイベントではArmのRene Haas CEOやGroqのJonathan Ross CEOなど、業界の著名なオピニオンリーダーも登壇し、AIの新たな課題に取り組む上でのSamsungとのパートナーシップを強調したほか、約30社のパートナー企業がブースを出展し、米国のファウンドリエコシステム全体でのダイナミックなコラボレーションを強調した。
先端プロセスで顧客のAIソリューションを強化

Samsungは、SF2ZとSF4Uという2つの新しいプロセスノードを発表し、先端プロセスロードマップの強化を表明した。同社の最新の2nmプロセス「SF2Z」には、最適化されたバックサイド電力供給ネットワーク(BSPDN)テクノロジが組み込まれている。これにより第1世代(SF2)と比較して、電力、パフォーマンス、面積(PPA)が向上するだけでなく、電圧降下(IRドロップ)も削減され、HPC設計のパフォーマンスが向上するという。SF2Zの量産は2027年に予定されている。