TSMC、Intel、SK hynixが語る半導体産業/技術の将来展望 - ITF World 2024 第1回 メモリの技術革新の重要性を語ったSK hynix

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2024年5月下旬に開催されたベルギーimec創業40周年記念イベント「ITF World 2024」では、世界の大手半導体・IT企業の多数の経営者が招待講演を行った。

ITFは、「imec Technology Forum」の略で、日本を含む世界数所で毎年行っている年次イベントであるが、ITF Worldはそのグローバル規模での統合版であり、世界中から2500人を超える人々がベルギー・アントワープのイベントホールに参集して開催された。かつては、「ITF Belgium」と呼ばれ、年次研究成果発表会の位置づけだったが、現在は世界のトップ半導体およびIT企業などの経営者が今後の経営・技術戦略を紹介し、未来の方向を探るイベントへと変貌を遂げており、imecの研究内容の紹介は、併設の展示会で行われている。

今回のITF World 2024では、imecの先端半導体コアプログラムメンバー企業でもあるTSMC、Intel、SK hynixらが、それぞれの立場で半導体産業や半導体技術の将来展望を語った。各社独自の直近の新技術を詳しく紹介するための技術説明会とは異なり、半導体専門外の参加者にもわかりやすい長期展望を中心に述べていた。
DRAMでも進む3D化

SK hynixは、DRAM/NAND研究開発担当シニアバイスプレジデント(SVP)であるIlsup Jin氏が「将来を拓くメモリ技術革新」と題して講演を行った。

同氏はまず、過去30年にわたる半導体産業のけん引役の変遷を説明。PC、モバイル、クラウドサービスそして生成AIとけん引役が次々と誕生、増加していることに触れ、今後も成長が続き、2030年には1兆ドル規模に達する将来有望な産業であることを強調した。

この間、DRAM技術は、プロセス微細化の限界を打破する形で業界からの要求にこたえ続けてきた。現在は1c-nm (1x、1y、1z、1a、1bに続く10nmクラスプロセスの第5世代目)の段階にある。SK hynixは、DRAMチップを積層し、TSV(シリコン貫通ビア)で串刺しにして高速大容量化を実現した高帯域メモリ(HBM)がNVIDIAのAIチップに採用されるなど、HBMで高いシェアを有しているが、近い将来、DRAM製品の多くがゲート多段積層タイプの3D DRAMへとシフトし、さらに集積度を高めることが予想されるとする。

NANDは300層越えへ