新日本無線、パワー半導体「SJ MOSトランジスタ」に関しデンソーとライセンス契約締結

@Press / 2013年2月27日 15時0分

 新日本無線株式会社(本社:東京都中央区、社長:小倉 良)は、車載用半導体の取組みを通じて関係を深めている株式会社デンソー(本社:愛知県刈谷市、社長:加藤 宣明)と、同社が開発し世界トップクラス(※1)の低オン抵抗を実現した、パワー半導体「スーパージャンクション MOS(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ」(以下 SJ MOSトランジスタ)のライセンス契約を他社に先駆け締結しました。


 デンソーが開発したSJ MOSトランジスタは、独自の「トレンチ埋め込みエピ」形成技術により、チップ単位面積あたりのオン抵抗を既存の競合製品に比べ約2分の1に下げることができ、これにより電源機器の省電力化と小型化に寄与します。
 新日本無線は、2013年8月から20AクラスのSJ MOSトランジスタの量産を開始する予定で、省電力化・小型化ニーズの高いコンピューター用電源、パワーコンディショナー、ACアダプターなどの分野に注力し、漸次、30A及び10Aクラスを開発し業容を拡大してまいります。

 新日本無線は、「環境カンパニー」として環境・エネルギー分野に重点を置いた日清紡グループの一員であり、省エネに寄与するパワー半導体を市場に供給することによって低炭素社会の実現に貢献してまいります。

(※1)2013年2月現在 新日本無線調べ


【開発製品特長】
VDSS  :600V(min)
ID   :20A
RDS(on):190mΩ(max)

【アプリケーション】
コンピューター用電源、パワーコンディショナー、ACアダプターなど

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