絶縁体ポリオキソメタレートの半導体化に成功

長谷川　遥（はせがわ　はるか）

岐阜大学大学院　自然科学技術研究科　修士課程修了（令和5年）

高森　敦志（たかもり　あつし）

岐阜大学大学院　工学研究科　博士後期課程修了（令和5年）

佐藤　正寛（さとう　まさひろ）

東京大学　大学院工学系研究科 　准教授

研究サポート

　本研究は、日本学術振興会 科学研究費 基盤研究C（課題番号 21K05098）、カシオ科学振興財団、島津科学技術振興財団、東電記念財団、双葉電子記念財団、加藤科学振興会、中部電気利用基礎研究振興財団、豊田理化学研究所、立松財団、藤森科学技術振興財団、越山科学技術振興財団、高橋産業経済研究財団の支援を受けて行われた。また、分子軌道計算は自然科学研究機構 計算科学研究センター（課題番号 23-IMS-C182）の支援を受け実施された。本研究の一部は文部科学省「マテリアル先端リサーチインフラ」事業（課題番号 JPMXP1223MS1031）の支援を受け自然科学研究機構 分子科学研究所で実施された。

関連URL：https://kyodonewsprwire.jp/release/202408074712

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