PCテクノロジートレンド 2025 - Storage編「NAND Flash」「HDD」
マイナビニュース / 2025年1月6日 10時0分
2025年の幕開けに、パーソナルコンピュータのハードウェア技術の動向を占う毎年恒例の特集記事「PCテクノロジートレンド」をお届けする。本稿はStorage編だ。
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NAND Flash
NAND Flashの記憶容量増加の勢いは若干鈍化したか? という感じではあるのだが、それでも2024年は各社から大容量3D NAND Flashが発表された。Samsungは2024年4月に第9世代のTLC V-NANDの量産開始を発表。同年10月にはQLCの量産も開始した。この第9世代V-NANDは290層であり、更に2025年には430層の第10世代の量産を予定している事も明らかにしている。
SK Hynixは2024年11月、321層積層の量産開始を発表。容量1Tbitとされる。
Micronは2024年6月、276層となる第9世代NANDと、これを利用したData Center向けSSDの量産開始をアナウンス。TLCで1Gbitの容量である。2024年7月末には、同じく第9世代NANDを利用したコンシューマ向けSSDの出荷開始も発表している。
Kioxiaは2024年7月、第8世代BiCS Flashのサンプル出荷を発表している。218層ながらQLCで2Tbit、Read/Write性能を強化したTLC版は1Tbitの容量を持つ。ちなみに2024年8月に開催されたFMS(the Future of Memory and Storage) 2024では、この2Tbit QLCと1Tbit TLCは構造が大分異なっている事も明らかになっている。
という訳で、主要なメーカーは2024年中に1ダイあたり1Tbitの容量を既に実現している。今年は恐らくSK Hynixに続き、その他のメーカーも300層を突破するかもしれない(SK Hynixは400層を実現するとしている)。
もっとも、300層を超えたからといってすぐに容量が倍になる訳でもないし、価格が大幅に下がるわけでもない。というか主要なメーカーがダイ1枚で1Tbitを実現した時点で、これを8枚積層するだけで1TBのNAND Flashの完成である。ということは、表裏に実装するならM.2の2210サイズですら2TBのNVMe SSDが実現できる訳で、2280サイズなら片面最大4つまでチップを積層出来るから、現在のデマンドを考えると短期的には十分といったところだろう。
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